升研究所－電子學精華（上）

　　本書是作者累積二十年教學經驗並參考各家同類型的書，擷取各家之優點編寫而成。豐富的考題來自於近5年各國立大學研究所試題，可幫助讀者迅速掌握各研究所命題焦點。本書內容包括：半導體概論、二極體、BJT直流篇、BJT小信號分析、大信號放大電路、J-FET、MOS-FET、電流鏡、差動放大器。本書非常適合升研究所的人士使用。

1章　半導體概論
1-1　原子結構與元素週期表1-2
1-2　遷移率(Mobility)，μ1-4
1-3　漂移電流(Drift Current Density)1-7
1-4　擴散電流(Diffusion Current)1-9
1-5　愛因斯坦關係式(Einstein Relation)1-11
1-6　歐姆定理(Ohmic-Law)1-12
1-7　本質半導體(Intrinsic Semiconductor)1-13
1-8　摻雜→外質半導體(Extrinsic Semiconductor)1-14
1-8-1　施體雜質(Donors)與N型半導體(N Type)1-14
1-8-2　受體雜質(Acceptors)與型半導體( Type)1-16
1-9　本質與雜質半導體的電子、電洞濃度和電阻係數1-17

2章　二極體與二極體電路
2-1　PN二極體的開路特性2-3
2-1-1　空乏區2-6
2-1-2　內建電壓的電位變化　　波茲曼方程式2-7
2-2　開路時接面電壓與空乏區寬度的關係2-10
2-3　外加偏壓之接面的空乏區寬度變化2-15
2-3-1　順向偏壓(forward bias)2-15
2-3-2　逆向偏壓(reverse bias)2-17
2-4　二極體的少數載子電流電壓方程式2-19
2-5　二極體電流方程式2-23
2-6　二極體的溫度效應2-24
2-7　二極體等效電路之五大解法2-26
2-8　擴散電容量(Diffusion Capacitance)，CD2-34
2-9　過渡電容量(Transition Capacitor)，CT2-35
2-10　二極體之內阻2-39
2-11　稽納二極體(zener diode)2-42
2-12　截波電路(Clipping Circuit)2-50
2-13　箝位電路(Clamping Circuit)2-60
2-14　整　流2-64

3章　BJT直流篇
3-1　BJT的製造與構造3-2
3-2　BJT的四個操作區(Region)3-6
3-3　BJT的電流增益(Current Gain)　　、、3-9
3-4　BJT電晶體的三種放大組合狀態(三態)3-14
3-5　歐萊效應(Early Effect)3-19
3-6　直流工作點與放大作用3-31
3-7　共射式放大電路直流偏壓設計3-35
3-7-1　固定偏壓法(Fixed Bias)3-36
3-7-2　射極回授偏壓法(Emitter-Feedback Bias)3-37
3-7-3　自給偏壓法(Self-Bias)3-38
3-7-4　集極回授偏壓法(Collector-Feedback Bias)3-41
3-8　直流負載線(DC Load Line)3-52
3-9　交流負載線與最大輸出擺幅3-55

4章　BJT交流小信號分析
4-1　小信號之定義4-2
4-1-1　泰勒級數展開式4-2
4-1-2　BJT之與4-2
4-1-3　曲線變直線　　微分得切線直線方程式　　gm4-3
4-2　h參數(Hybrid-parameter)4-8
4-3　C-E電路分析4-11
4-3-1　無RE 　　固定偏壓電路4-11
4-3-2　有RE，但無CE4-13
4-3-3　含-射極旁路電容器4-15
4-4　共基式小信號放大分析4-28
4-5　共集式-射極追隨器(Emitter Follower)4-34
4-6　達靈頓(Darlington Circuit)4-49
4-7　串疊組態(Cascode)4-57
4-8　串級(多數放大)4-64

5章　大信號放大電路
5-1　A類(甲類)放大器5-3
5-2　B類互補式SEPP放大方式5-7
5-3　交叉失真的產生與AB類(甲乙類)放大器5-21
5-4　功率遞減因素與散熱5-29

6章　J-FET
6-1　N-通道JFET6-5
6-1-1　FET由三極體區(電阻區)進入夾止區(飽和區)6-7
6-1-2　的定義6-11
6-1-3　＝的定義：夾止(Pinch-OFF)6-12
6-2　N-FET的電壓電流方程式6-13
6-2-1　三極體區(Triode Region)電壓電流方程式6-15
6-2-2　三極體區與飽和區(夾止區)之分界6-16
6-2-3　夾止區(Pinch Region)電壓電流方程式6-18
6-2-4　歐萊效應(Early Effect)6-21
6-2-5　三極體區可擔任電阻器6-22
6-3　N-JFET的三種直流偏壓設計6-25
6-3-1　固定偏壓(fixed bias)6-26
6-3-2　源極自給偏壓(self-bias)6-27
6-3-3　自給偏壓與固定偏壓合用6-28
6-4　JFET的交流分析6-31
6-4-1　共源式RS不存在6-34
6-4-2　共源式含RS存在　使用戴維寧等效電路6-35
6-5　JFET共汲式放大器：源極隨耦器6-44
6-5-16-50
6-6　P通道JFET6-51

7章　MOS-FET
7-1　N通道增強型MOSFET7-3
7-1-1　物理結構7-4
7-1-2　電流方程式7-6
7-1-3　三極體區(歐姆區)7-8
7-1-4　分界線(Boundary)7-9
7-1-5　夾止區 (定電流區、飽和區)7-11
7-1-6　Early Effect7-12
7-1-7　增強型MOS之交流分析：7-13
7-1-8　基體效應7-15
7-2　直流偏壓分析7-17
7-2-1　自動偏壓方式7-17
7-2-2　汲極回授偏壓方式7-33
7-2-3　增強型MOS當作電阻器使用7-39
7-3　共閘式放大器與疊串式放大7-41
7-4　增強型P通道MOSFET7-46
7-5　空乏型N通道MOSFET7-51
7-6　P通道空乏型MOSFET7-61

8章　電流鏡(Current Mirror)
8-1　電晶體式1比1電流鏡 (β＋2比β)8-3
8-2　電流鏡之主動負載8-19
8-3　威爾森電流鏡(The Wilson Current Mirror)8-21
8-4　衛得勒電流鏡(Widlar Current Mirror)8-24
8-5　Current Miirror之內阻8-26
8-6　增強型MOSFET之電流鏡8-31
8-7　MOS電流鏡之內阻8-41

9章　差動放大器
9-1　差動放大器的基本結構9-2
9-2　差動放大器的放大方式9-3
9-3　差動放大會拒絕共模雜訊 (除暴)9-5
9-4　差動放大器只放大差模信號 (安良)9-7
9-5　差模增益、共模增益、CMRR與Vo9-8
9-6　差動放大器之直流工作點分析9-11
9-7　差模信號的最大輸入範圍9-13
9-8　差動放大器之交流信號特性分析9-16
9-8-1　差模半電路9-17
9-8-2　共模半電路9-19
9-9　FET之差動放大器9-28
9-10第二類差動放大CMRR與CCS9-37
9-11第三類差動放大器　　主動負載裝置9-50