本書以作者多年教學經驗，配合淺顯易懂的文字和圖形的描述編撰而成，對於重要觀念及公式，善用問答的方式陳述，加強研讀時的吸收與想像。各章皆以學習流程圖及生活化短文，啟發學習興趣、確立學習目標，內容節選重要定理及觀念，以中、英語對照的方式呈現，建立課堂雙語互動，並收錄豐富且經典的題型及各校入學考題，有效驗證學習成果；全書共分成「基礎概念」、「進階分析」兩冊，適用於大學及科大之電子、電機、資工系「電子學」課程。
本書特色
1.每章皆以學習流程圖歸納重點、確立學習目標。
2.每章前皆設計「生活電子學」短文，以生活、歷史為喻說明電子專業，啟發學習興趣。
3.每章皆節選重要定理、觀念，以中、英語對照呈現，活絡雙語學習的潛力。
4.本書以簡單扼要的方式闡述觀念，定理推導有條理且詳盡。
5.本書收錄豐富的例題及習題，且精選近十所大專校院研究所入學考題、公務員高考考題，有效驗證學習成果。
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有 6 項符合
電子學(基礎概念) (電子書)的圖書 |
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電子學: 基礎概念 作者：林奎至/阮弼群 出版社：全華圖書股份有限公司 出版日期：2022-05-18 |
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圖書介紹 - 資料來源：博客來 評分：
圖書名稱：電子學(基礎概念) (電子書)
內容簡介
目錄
Chapter1 微電子簡介
1.1 電子與微電子
1.2 微電子系統
1.2.1 行動電話
1.2.2 數位相機
1.3 類比與數位
1.4 基本定理回顧
1.4.1 歐姆定理
1.4.2 克希荷夫電流定律
1.4.3 克希荷夫電壓定律
1.4.4 戴維寧定理
1.4.5 諾頓定理
重點回顧
Chapter2 半導體的基本特性
2.1 半導體物質與其特性
2.1.1 載子濃度的修正
2.1.2 載子的傳輸
2.2 pn接面
2.2.1 平衡下的pn接面
2.2.2 逆偏下的pn接面
2.2.3 順偏下的pn接面
2.2.4 I / V特性
2.3 逆向崩潰
2.3.1 齊納崩潰
2.3.2 累增崩潰
2.4 實例挑戰
重點回顧
Chapter3 二極體模型與其電路的介紹
3.1 理想模型
3.2 二極體的其他模型
3.3 大訊號和小訊號的操作
3.4 二極體的應用電路
3.4.1 半波和全波整流器
3.4.2 限制電路
3.4.3 二極體當成位準移位器
3.5 實例挑戰
重點回顧
Chapter4 雙極性接面電晶體的基本特性
4.1 BJT的結構
4.2 主動區──BJT做為放大器的操作區域
4.2.1 端點電流
4.3 BJT的模型與特性
4.3.1 大訊號模型
4.3.2 電流 / 電壓特性
4.3.3 轉導
4.3.4 小訊號模型
4.3.5 厄利效應
4.4 BJT操作在飽和區
4.5 pnp電晶體
4.5.1 大訊號模型和其電流公式
4.5.2 小訊號模型
4.6 實例挑戰
重點回顧
Chapter5 金氧半場效電晶體的基本特性
5.1 MOSFET的結構
5.2 n MOSFET的操作
5.2.1 定性分析
5.2.2 電流I / 電壓V特性的推導
5.2.3 通道長度調變
5.2.4 MOS的轉導
5.2.5 基體效應
5.3 MOS元件的模型
5.3.1 大訊號模型
5.3.2 小訊號模型
5.4 p MOS電晶體
5.5 互補式金氧半場效電晶體技術
5.6 BJT元件和MOS元件的比較
5.7 實例挑戰
重點回顧
Chapter6 雙極性電晶體放大器
6.1 一般性的考量
6.1.1 輸入和輸出阻抗
6.1.2 偏壓
6.1.3 直流和小訊號分析
6.2 操作點的分析
6.2.1 簡單偏壓
6.2.2 電阻分壓偏壓
6.2.3 射極退化偏壓
6.2.4 自我偏壓
6.2.5 pnp型的偏壓
6.3 BJT的放大組態
6.3.1 共射極組態(CE組態)
6.3.2 共基極組態(CB組態)
6.3.3 共集極組態(CC組態)
6.4 實例挑戰
重點回顧
Chapter7 金氧半場效電晶體放大器
7.1 一般性的考量
7.1.1 MOSFET放大器的組態
7.1.2 直流偏壓
7.1.3 電流源的實現
7.2 共源極組態(CS組態)
7.2.1 基本的CS組態
7.2.2 具電流源負載之CS組態
7.2.3 具二極體連接負載之CS組態
7.2.4 具源極退化之CS組態
7.3 共閘極組態(CG組態)
7.4 共汲極組態(CD組態)
7.5 實例挑戰
重點回顧
Chapter8 運算放大器——當成一個元件使用
8.1 一般性的觀念
8.2 線性的運算放大器電路
8.2.1 非反相放大器
8.2.2 反相放大器
8.2.3 積分器
8.2.4 微分器
8.2.5 電壓加法器
8.3 非線性的運算放大器電路
8.3.1 精密整流器
8.3.2 對數放大器
8.3.3 平方根電路
8.4 運算放大器的非理想型
8.4.1 直流補償
8.4.2 輸入偏壓電流
8.4.3 速度的限制
8.4.4 有限的輸入和輸出阻抗
8.5 實例挑戰
重點回顧
ChapterA SPICE概論
A.1 電子元件的描述
A.1.1 電阻、電容和電感
A.1.2 電壓源
A.1.3 電流源
A.1.4 二極體
A.1.5 BJT電晶體
A.1.6 MOSFET電晶體
A.1.7 相依電源
A.1.8 初始值
A.2 模擬的步驟與程序
A.3 分析的型態
A.3.1 工作點的分析
A.3.2 直流分析
A.3.3 暫態分析
索引
習題演練
1.1 電子與微電子
1.2 微電子系統
1.2.1 行動電話
1.2.2 數位相機
1.3 類比與數位
1.4 基本定理回顧
1.4.1 歐姆定理
1.4.2 克希荷夫電流定律
1.4.3 克希荷夫電壓定律
1.4.4 戴維寧定理
1.4.5 諾頓定理
重點回顧
Chapter2 半導體的基本特性
2.1 半導體物質與其特性
2.1.1 載子濃度的修正
2.1.2 載子的傳輸
2.2 pn接面
2.2.1 平衡下的pn接面
2.2.2 逆偏下的pn接面
2.2.3 順偏下的pn接面
2.2.4 I / V特性
2.3 逆向崩潰
2.3.1 齊納崩潰
2.3.2 累增崩潰
2.4 實例挑戰
重點回顧
Chapter3 二極體模型與其電路的介紹
3.1 理想模型
3.2 二極體的其他模型
3.3 大訊號和小訊號的操作
3.4 二極體的應用電路
3.4.1 半波和全波整流器
3.4.2 限制電路
3.4.3 二極體當成位準移位器
3.5 實例挑戰
重點回顧
Chapter4 雙極性接面電晶體的基本特性
4.1 BJT的結構
4.2 主動區──BJT做為放大器的操作區域
4.2.1 端點電流
4.3 BJT的模型與特性
4.3.1 大訊號模型
4.3.2 電流 / 電壓特性
4.3.3 轉導
4.3.4 小訊號模型
4.3.5 厄利效應
4.4 BJT操作在飽和區
4.5 pnp電晶體
4.5.1 大訊號模型和其電流公式
4.5.2 小訊號模型
4.6 實例挑戰
重點回顧
Chapter5 金氧半場效電晶體的基本特性
5.1 MOSFET的結構
5.2 n MOSFET的操作
5.2.1 定性分析
5.2.2 電流I / 電壓V特性的推導
5.2.3 通道長度調變
5.2.4 MOS的轉導
5.2.5 基體效應
5.3 MOS元件的模型
5.3.1 大訊號模型
5.3.2 小訊號模型
5.4 p MOS電晶體
5.5 互補式金氧半場效電晶體技術
5.6 BJT元件和MOS元件的比較
5.7 實例挑戰
重點回顧
Chapter6 雙極性電晶體放大器
6.1 一般性的考量
6.1.1 輸入和輸出阻抗
6.1.2 偏壓
6.1.3 直流和小訊號分析
6.2 操作點的分析
6.2.1 簡單偏壓
6.2.2 電阻分壓偏壓
6.2.3 射極退化偏壓
6.2.4 自我偏壓
6.2.5 pnp型的偏壓
6.3 BJT的放大組態
6.3.1 共射極組態(CE組態)
6.3.2 共基極組態(CB組態)
6.3.3 共集極組態(CC組態)
6.4 實例挑戰
重點回顧
Chapter7 金氧半場效電晶體放大器
7.1 一般性的考量
7.1.1 MOSFET放大器的組態
7.1.2 直流偏壓
7.1.3 電流源的實現
7.2 共源極組態(CS組態)
7.2.1 基本的CS組態
7.2.2 具電流源負載之CS組態
7.2.3 具二極體連接負載之CS組態
7.2.4 具源極退化之CS組態
7.3 共閘極組態(CG組態)
7.4 共汲極組態(CD組態)
7.5 實例挑戰
重點回顧
Chapter8 運算放大器——當成一個元件使用
8.1 一般性的觀念
8.2 線性的運算放大器電路
8.2.1 非反相放大器
8.2.2 反相放大器
8.2.3 積分器
8.2.4 微分器
8.2.5 電壓加法器
8.3 非線性的運算放大器電路
8.3.1 精密整流器
8.3.2 對數放大器
8.3.3 平方根電路
8.4 運算放大器的非理想型
8.4.1 直流補償
8.4.2 輸入偏壓電流
8.4.3 速度的限制
8.4.4 有限的輸入和輸出阻抗
8.5 實例挑戰
重點回顧
ChapterA SPICE概論
A.1 電子元件的描述
A.1.1 電阻、電容和電感
A.1.2 電壓源
A.1.3 電流源
A.1.4 二極體
A.1.5 BJT電晶體
A.1.6 MOSFET電晶體
A.1.7 相依電源
A.1.8 初始值
A.2 模擬的步驟與程序
A.3 分析的型態
A.3.1 工作點的分析
A.3.2 直流分析
A.3.3 暫態分析
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