半導體器件物理(簡體書)

本書融合了半導體物理和晶體管原理兩部分的內容。考慮到對高職學生的教育要求，本書在編寫時盡量減少理論推導，用通俗易懂的語言來闡述半導體物理的基本知識和晶體管的基本原理。全書共分10章，第1章介紹半導體物理的基本知識，第2章闡述P-N結的特性，第3到6章講述晶體管的直流特性、交流特性、開關特性和高頻大功率晶體管的設計，第7到第10章講述MOS器件的相關內容。每章均有與教學內容相結合的適量習題。本書可作為高職高專院校微電子技術專業的教材，又可作為微電子技術人員的參考書。

出版說明
前言
第1章 半導體特性
1.1 半導體的晶體結構
1.2 半導體的電性能
1.3 半導體中的電子狀態和能帶
1.4 半導體中的雜質和缺陷
1.5 載流子的運動
1.6 非平衡載流子
1.7 習題
第2章 P-N結
2.1 P-N結及其能帶圖
2.2 平衡P-N結
2.3 P-N結直流特性
2.4 P-N結結電容
2.5 P-N結結擊穿
2.6 習題
第3章 晶體管的直流特性
3.1 概述
3.2 平面晶體管的電流放大系數及影響電流放大系數的因素
3.3 晶體管的反向電流
3.4 晶體管的擊穿電壓
3.5 晶體管的基極電阻
3.6 習題
第4章 晶體管的頻率特性與功率特性
4.1 晶體管的頻率特性
4.2 高頻等效電路
4.3 高頻功率增益和最高振蕩頻率
……
第5章 晶體管的開關特性
第6章 雙極型晶體管的設計
第7章 半導體表面特性及MOS電容
第8章 MOS場效應晶體管的基本特性
第9章 MOS功率場效應晶體管
第10章 小尺寸MOS器件的特點
附錄
參考文獻