碳化硅功率器件：特性、測試和應用技術(第2版)

本書綜合了近幾年工業界的最新進展和學術界的最新研究成果，詳細介紹並討論了碳化矽功率器件的基本原理、發展現狀與趨勢、特性及測試方法、應用技術和各應用領域的方案。本書共分為12章，內容涵蓋功率半導體器件基礎，SiC二極體的主要特性，SiC MOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對比，雙脈衝測試技術，SiC器件的測試、分析和評估技術，高di/dt影響與應對——關斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應對——串擾，高dv/dt影響與應對——共模電流，共源極電感影響與應對，驅動電路，SiC器件的主要應用。本書面向電力電子、新能源技術、功率半導體晶片和封裝等領域的廣大工程技術人員和科研工作者，可滿足從事功率半導體器件設計、封裝、測試、應用、生產的專業人士的知識和技術要求。

高遠，功率半導體測試與應用技術專家。2008年保送進中國電工技術學會電力電子專業委員會委員，中國電工技術學會科技傳播與出版專業委員會委員，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟產業導師，泰克科技電源功率器件領域外部專家。
 
張岩，西安交通大學副教授，博導主持國家自然科學基金2項、國家重點研發計畫子課題2項、省部級專案2項，博士後基金項目2項及校企合作項目20余項。以第一作者/通信作者發表SCI/EI論文100餘篇。