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氮化鎵晶體生長技術的圖書 |
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氮化鎵晶體生長技術 作者：（日）德克·埃倫特勞特 ／ 譯者：王黨會 出版社：中國石化出版社 出版日期：2021-12-01 語言：簡體中文 規格：平裝 / 232頁 / 19 x 26 x 1.16 cm / 普通級/ 1-1 |
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圖書介紹 - 資料來源：博客來 評分：
圖書名稱：氮化鎵晶體生長技術
內容簡介
本書屬Springer材料科學系列教材之一，主要內容涉及目前蓬勃發展的高亮度可見光LED及照明工程等相關領域。包含的內容主要有：GaN體材料的應用前景、GaN材料的鹵化物氣相外延生長技術、採用GaN籽晶技術生長GaN體材料、採用真空輔助技術生長自支撐GaN襯底、採用鹵化物氣相外延生長技術生長非極性與半極性GaN、GaN高生長速率的金屬有機物氣相外延法、熱氨法生長GaN體材料、高/低壓環境下的GaN生長技術、Na流量法生在大尺寸GaN技術簡介、GaN晶體的表徵方法等內容。
目錄
第一章 GaN襯底體材料市場的發展
1.1 引言
1.2 III族氮化物器件的市場驅動力和展望
1.3體GaN襯底材料的優勢和重要性
1.4 體GaN襯底上GaN器件的發展趨勢
1.5體GaN襯底的發展趨勢
1.6 小結
參考文獻
第二章 GaN的氫化物氣相外延生長技術
2.1 引言
2.2 HVPE法生長GaN的熱力學分析
2.3 GaAs(100)襯底上的立方GaN生長
2.4 生長在GaAs（111）A和（111）B襯底上GaN性質的比較
2.5 GaAs(111)A和(111)B面上生長GaN初始生長過程的Ab Initio計算
2.6 GaAs(111)A襯底上厚GaN層的生長
2.7 Fe摻雜半絕緣GaN襯底的製備
參考文獻
第三章 HVPE法在GaN單晶上生長體GaN
3.1 引言
3.2 實驗過程
3.3 實驗結果
3.4 結論
參考文獻
第四章 利用空洞輔助分離的HVPE生長自支撐GaN晶片
4.1 引言
4.2 HVPE-VAS技術概要
4.3 多孔TiN薄膜的GaN範本製備
4.4 GaN範本上多孔TiN薄膜的HVPE生長
4.5 HVPE-VAS技術製備GaN晶片的性能
4.6 小結
參考文獻
第五章 非極性/半極性GaN的HVPE生長法
5.1引言
5.2 異質外延生長薄膜及襯底的選擇
5.3 極性/半極性GaN的橫向過生長技術
5.4 結論及展望
參考文獻
第六章 MOVPE高生長速率技術
6.1 引言
6.2 傳統MOVPE生長AlGaN和GaN的特性
6.3 氣相反應的量子化學研究
6.4 GaN高生長速率的高流速反應器生長
6.5 討論和總結
參考文獻
第七章 氨堿條件下GaN的氨熱生長技術
7.1 引言
7.2 生長方法
7.3 晶體表徵
7.4 氨熱法同質外延生長GaN
7.5 結論
參考文獻
第八章 氨熱法生長體GaN
8.1 引言
8.2 礦化劑對氨熱法合成GaN的影響
8.3 GaN在氨堿溶液中的溶解度
8.4 金屬Ga為反應物的GaN籽晶生長
8.5 多晶GaN作為反應物的GaN籽晶生長
8.6 體GaN的生長及晶圓的切片
8.7 小結
參考文獻
第九章 酸性氨熱法生長GaN工藝
9.1 簡介
9.2 酸性氨熱法生長GaN工藝簡史
9.3 生長工藝
9.4 溶液化學性質和生長機制
9.5 氨熱法制GaN的特性
9.6 氨熱法生長GaN的未來發展前景
參考文獻
第十章 高壓溶液生長GaN
10.1 簡介
10.2 生長方法
10.3 HPS生長法自發結晶
10.4 HPS法生長GaN籽晶
10.5 壓生GaN襯底的應用: TopGaN Ltd的藍鐳射二極體
10.6 HPS生長方法綜述與展望
參考文獻
第十一章 鈉流法生長大尺寸GaN晶體的簡要回顧
11.1 簡介
11.2 鈉流法歷史發展簡述
11.3 鈉流法液相外延生長GaN的實驗條件
11.4 生長機制和位錯
11.5 GaN屬性
11.6 鈉流法的工業潛力
參考文獻
第十二章 低壓液態法生長GaN
12.1 簡介
12.2 在常壓下溶液生長技術，LPSG法
12.3 GaN層的結構和形貌演變
12.4 LPSG GaN材料的特性
12.5 總結和展望
參考文獻
第十三章 GaN襯底的光學性質
13.1 簡介
13.2 金屬有機氣相外延和鹵化物氣相外延生長GaN襯底的光學性質
13.3 氨熱法極性方向生長對籽晶GaN襯底光學性能的影響
13.4 位錯彎曲對氨熱法制GaN籽晶襯底光學屬性的影響
13.5 總結
參考文獻
第十四章 基於正電子湮滅光譜學研究體GaN的點缺陷和雜質
14.1 簡介
14.2 正電子湮滅光譜學
14.3 In-Grown Defects缺陷的生長
14.4 缺陷機制
14.5 總結
參考文獻
1.1 引言
1.2 III族氮化物器件的市場驅動力和展望
1.3體GaN襯底材料的優勢和重要性
1.4 體GaN襯底上GaN器件的發展趨勢
1.5體GaN襯底的發展趨勢
1.6 小結
參考文獻
第二章 GaN的氫化物氣相外延生長技術
2.1 引言
2.2 HVPE法生長GaN的熱力學分析
2.3 GaAs(100)襯底上的立方GaN生長
2.4 生長在GaAs（111）A和（111）B襯底上GaN性質的比較
2.5 GaAs(111)A和(111)B面上生長GaN初始生長過程的Ab Initio計算
2.6 GaAs(111)A襯底上厚GaN層的生長
2.7 Fe摻雜半絕緣GaN襯底的製備
參考文獻
第三章 HVPE法在GaN單晶上生長體GaN
3.1 引言
3.2 實驗過程
3.3 實驗結果
3.4 結論
參考文獻
第四章 利用空洞輔助分離的HVPE生長自支撐GaN晶片
4.1 引言
4.2 HVPE-VAS技術概要
4.3 多孔TiN薄膜的GaN範本製備
4.4 GaN範本上多孔TiN薄膜的HVPE生長
4.5 HVPE-VAS技術製備GaN晶片的性能
4.6 小結
參考文獻
第五章 非極性/半極性GaN的HVPE生長法
5.1引言
5.2 異質外延生長薄膜及襯底的選擇
5.3 極性/半極性GaN的橫向過生長技術
5.4 結論及展望
參考文獻
第六章 MOVPE高生長速率技術
6.1 引言
6.2 傳統MOVPE生長AlGaN和GaN的特性
6.3 氣相反應的量子化學研究
6.4 GaN高生長速率的高流速反應器生長
6.5 討論和總結
參考文獻
第七章 氨堿條件下GaN的氨熱生長技術
7.1 引言
7.2 生長方法
7.3 晶體表徵
7.4 氨熱法同質外延生長GaN
7.5 結論
參考文獻
第八章 氨熱法生長體GaN
8.1 引言
8.2 礦化劑對氨熱法合成GaN的影響
8.3 GaN在氨堿溶液中的溶解度
8.4 金屬Ga為反應物的GaN籽晶生長
8.5 多晶GaN作為反應物的GaN籽晶生長
8.6 體GaN的生長及晶圓的切片
8.7 小結
參考文獻
第九章 酸性氨熱法生長GaN工藝
9.1 簡介
9.2 酸性氨熱法生長GaN工藝簡史
9.3 生長工藝
9.4 溶液化學性質和生長機制
9.5 氨熱法制GaN的特性
9.6 氨熱法生長GaN的未來發展前景
參考文獻
第十章 高壓溶液生長GaN
10.1 簡介
10.2 生長方法
10.3 HPS生長法自發結晶
10.4 HPS法生長GaN籽晶
10.5 壓生GaN襯底的應用: TopGaN Ltd的藍鐳射二極體
10.6 HPS生長方法綜述與展望
參考文獻
第十一章 鈉流法生長大尺寸GaN晶體的簡要回顧
11.1 簡介
11.2 鈉流法歷史發展簡述
11.3 鈉流法液相外延生長GaN的實驗條件
11.4 生長機制和位錯
11.5 GaN屬性
11.6 鈉流法的工業潛力
參考文獻
第十二章 低壓液態法生長GaN
12.1 簡介
12.2 在常壓下溶液生長技術，LPSG法
12.3 GaN層的結構和形貌演變
12.4 LPSG GaN材料的特性
12.5 總結和展望
參考文獻
第十三章 GaN襯底的光學性質
13.1 簡介
13.2 金屬有機氣相外延和鹵化物氣相外延生長GaN襯底的光學性質
13.3 氨熱法極性方向生長對籽晶GaN襯底光學性能的影響
13.4 位錯彎曲對氨熱法制GaN籽晶襯底光學屬性的影響
13.5 總結
參考文獻
第十四章 基於正電子湮滅光譜學研究體GaN的點缺陷和雜質
14.1 簡介
14.2 正電子湮滅光譜學
14.3 In-Grown Defects缺陷的生長
14.4 缺陷機制
14.5 總結
參考文獻
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