第一章 太陽能和光電轉換
1.1 太陽能
1.2 太陽能輻射和吸收
1.3 太陽能光電的研究和應用歷史
1.4 太陽能電池的研究和開發
參考文獻
第二章 太陽能光電材料及物理基礎
2.1 半導體材料和太陽能光電材料
2.2 載流子和能帶
2.3 雜質和缺陷能階
2.4 熱平衡下的載流子
2.5 非平衡少數載流子
2.6 p-n接面
2.7 金屬-半導體接觸和MIS結構
2.8 太陽能光電轉換原理—光生伏特效應
參考文獻
第三章 太陽能電池的結構和製備
3.1 太陽能電池的結構和光電轉換效率
3.2 晶體矽太陽能電池的基本技術
3.3 薄膜太陽能電池
參考文獻
第四章 單晶矽材料
4.1 矽的基本性質
4.2 太陽能電池用矽材料
4.3 高純多晶矽的製備
4.4 太陽能階多晶矽的製備
4.5 區熔單晶矽
4.6 直拉單晶矽
4.7 矽晶片加工
參考文獻
第五章 直拉單晶矽中的雜質和差排
5.1 直拉單晶矽中的氧
5.2 直拉單晶矽中的碳
5.3 直拉單晶矽中的金屬雜質
5.4 直拉單晶矽中的差排
參考文獻
第六章 鑄造多晶矽
6.1 概 述
6.2 鑄造多晶矽的製備技術
6.3 鑄造多晶矽的晶體生長
參考文獻
第七章 鑄造多晶矽中的雜質和缺陷
7.1 鑄造多晶矽中的氧
7.2 鑄造多晶矽中的碳
7.3 鑄造多晶矽中的氮
7.4 鑄造多晶矽中的氫
7.5 鑄造多晶矽中的金屬雜質和吸雜
7.6 鑄造多晶矽中的晶界
7.7 鑄造多晶矽中的差排
參考文獻
第八章 帶矽材料
8.1 帶矽材料的製備
8.2 帶矽生長的基本問題
8.3 帶矽材料的缺陷和雜質
8.4 帶矽材料的氫鈍化和吸雜
參考文獻
第九章 非晶矽薄膜
9.1 非晶矽薄膜的基本性質
9.2 電漿化學氣相沉積製備非晶矽薄膜
9.3 非晶矽薄膜的摻雜
9.4 非晶矽薄膜中的氫
9.5 非晶矽薄膜中的光致衰減
9.6 非晶矽合金薄膜
參考文獻
第十章 多晶矽薄膜
10.1 多晶矽薄膜的基本性質
10.2 化學氣相沉積製備多晶矽薄膜
10.3 非晶矽晶化製備多晶矽薄膜
參考文獻
第十一章 GaAs半導體材料
11.1 GaAs材料的性質和太陽能電池
11.2 GaAs體單晶材料
11.3 GaAs薄膜單晶材料
11.4 GaAs晶體中的雜質
11.5 GaAs晶體中的缺陷
參考文獻
第十二章 CdTe和CdS薄膜材料
12.1 CdTe材料和太陽能電池
12.2 CdTe薄膜材料的製備
12.3 CdS薄膜材料
參考文獻
第十三章 CuInSe2(CuInS2)薄膜材料
13.1 CuInSe2(CuInxGa1-xSe2)材料和太陽能電池
13.2 CuInSe2(CuInGaSe2)薄膜材料的製備
13.3 CuInS2材料的性質和太陽能電池
13.4 CuInS2薄膜材料的製備
參考文獻