3D-IC構裝技術可大大縮短微電子元件之導線長度,使得晶片間的傳輸速度加快、雜訊更小、效能更佳,尤其在CPU與記憶體(Memory),以及記憶卡應用中的Flash與Controller間資料的傳輸上,更能突顯TSV在縮短內部導線連接路徑所帶來的優勢。此外,現今電子產業在強調多功能、小尺寸行動電子產品的帶動下,3D IC的小型化特性,可謂是驅動整體市場發展的首要因素。簡單而言,矽導孔技術(Through Silicon Via;簡稱TSV)是在晶圓上以蝕刻(Etch)或雷射(Laser)的方式形成導線連接之導孔(Via),再將導電材料如銅(Cu)、多晶矽(Poly Silicon)、鎢(W)等填入導孔(Via)中,以形成導電通道,最後將晶圓薄化再加以堆疊(Stacking)及接合(Bonding),進而形成3D-IC構裝體。
由於目前TSV仍有許多技術挑戰尚待克服,所以國際間許多著名的學術與研究機構,以及半導體大廠紛紛加入研發以TSV為基礎的3D晶片堆疊技術,從2009年開始在各型研討會上皆可看到許多有關TSV的相關專文發表,包括製程、可靠度分析、自動化設計、系統設計等,可知TSV製程已成為晶片立體堆疊技術之主軸。有鑑於此,本書將整合最新TSV相關知識,介紹先進微電子3D IC構裝技術,讓讀者能夠快速掌握TSV技術之發展方向。
作者簡介
許明哲
學歷:
國立成功大學 材料科學及工程研究所畢業
現職:
弘塑科技公司 研發專案計劃主持人
經歷:
工業技術研究院 材料所
材料機械性能及腐蝕防治實驗室 副研究員
中德電子材枓公司(美商MEMC台灣分公司)
矽晶圓長晶區生產部及品保部 主任
美商科磊公司( KLA& Tencor 台灣分公司)
半導體製程應用工程師