半導體元件

Ch1　原子結構與量子力學1.0　導　論1.1　晶體與單位晶格1.2　我們要尋找什麼？1.3　古典力學在原子能階解釋的失敗1.4　普朗克常數媞c3D模型1.5　波爾古典原子模型1.6　波爾量子模型1.7　波動力學1.8　海森堡測不準原理1.9　薛丁格方程式Ch2　能帶與在半導體中的電流載子2.0　導　論2.1　薛丁格方程式在氫原子的應用量子數2.2　能階分裂2.3　能帶的形成2.4　能帶形成的數學模型2.5　共價鍵模型2.6　電流載子-電子與電洞2.7　等效質量2.8　導體、半導體與絕緣體Ch3　本徵半導體與非本徵半導體3.0　導　論3.1　能態密度3.2　費米-迪拉克分佈函數3.3　載子濃度3.4　非本徵半導體3.5　熱平衡3.6　非本徵半導體的載子濃度3.7　在非本徵半導體的費米能階3.8　什麼半導體？Ch4　載子運動過程：漂移、擴散與產生-復合過程4.0　導　論4.1　速度限制4.2　熱速度4.3　碰撞與散射4.4　碰撞效應4.5　遷移率(MOBILITY)4.6　遷移電流與電導4.7　電阻率與電阻4.8　粒子擴散與擴散電流4.9　載子電流4.10復合與產生4.11　連續方程式4.12　海尼斯-蕭克利(HAYNES-SHOCKLEY)實驗Ch5　PN接面二極體5.0　導　論5.1　空間電荷區域5.2　在平衡時的解析關係式5.3　在外加電壓下的二極體條件5.4　二極體電流5-26Ch6　製程技術6.0　導　論6.1　為何選用矽？6.2　矽的純度6.3　柴可斯基長晶法6.4　製程過程6.5　平面PN接面二極體的製程6.6　在積體電路中電阻與電容的製程Ch7　理想二極體理論的限制7.0　導　論7.1　在順向偏壓的曲線偏離7.2　在逆向方向的實際二極體特性曲線7.3　二極體的電容7.4　小信號等效電路7.5　短基底二極體的特性7.6　二極體開闢特性Ch8　雙極性電晶體　：特性與第一階模型8.0　導　論8.1　結構與基本操作8.2　積體電路上的雙極性電晶體的製程8.3　專業術語、符號與操作區域8.4　電路安排8.5　在活性模式區域的電晶體電流8.6　當電流放大器的BJT8.7　電晶體參數8.8　特性曲線圖與操作模式8.9　電流解析關係式8.10　依伯-莫爾模型Ch9　雙極性電晶體Ⅱ：限制、開關與模型9.0　導　論9.1　在靜態特性曲線的限制效應9.2　在非常少與多量入射的影響9.3　電晶體開關9.4　小訊號等效電路9.5　基準的圖9.6　NPN電晶體9.7　家美樂-普(Gummel-Poon)模型Ch10　接面場效電晶體10.0　導　論10.1　結構與操作10.2　電流-電壓特性曲線方程式10.3　通道電導與JFET互導10.4　二次效應10.5　小訊號等效電路10.6　JFET的基準圖10.7　高頻限制Ch11　金屬-半導體接面與元件11.0　導　論11.1　金屬與N型-半導體的能帶圖11.2　蕭基位壘二極體11.3　金屬N型-半導體蕭基二極體電流-電壓特性曲線11.4　蕭基二極體與P+N二極體的比較11.5　非整流歐姆接點11.6　金屬半導體場效電晶體11.7　短通道MESFET模型Ch12　金屬-二氧化矽-矽系統12.0　導　論12.1　能帶圖12.2　能帶彎曲與偏壓效應12.3　電荷濃度的解析關係式12.4　臨界電壓12.5　電容-電壓量測12.6　在MOS電容的二氧化矽電荷12.7　功函數與二氧化矽電荷的影響Ch13　金屬-二氧化矽-半導體場效電晶體13.1　導　論13.1　結構與基本操作13.2　N型MOSFET(NMOS)在積體電路晶片上的製程13.3　操作的區域13.4　電流-電壓解析關係式13.5　重要的二次效應13.6　MOSFET的型式13.7　臨界電壓的控制13.8　MOS電晶體變數的量測13.9　MOSFET的小訊號等效電路13.10高頻性能13.11MOSFET與BJT的比較13.12MOSFET開關與CMOS反相器

Ch1　原子結構與量子力學1.0　導　論1.1　晶體與單位晶格1.2　我們要尋找什麼？1.3　古典力學在原子能階解釋的失敗1.4　普朗克常數媞c3D模型1.5　波爾古典原子模型1.6　波爾量子模型1.7　波動力學1.8　海森堡測不準原理1.9　薛丁格方程式Ch2　能帶與在半導體中的電流載子2.0　導　論2.1　薛丁格方程式在氫原子的應用量子數2.2　能階分裂2.3　能帶的形成2.4　能帶形成的數學模型2.5　共價鍵模型2.6　電流載子-電子與電洞2.7　等效質量2.8　導體、半導體與絕緣體Ch3　本徵半導體與非本徵半導體3.0　導　論3.1　能態密度3.2　費米-迪拉克分佈...