ULSI製程技術

第1章　ULSI的構造及必要的製程技術第2章　微細加工技術　2.1　微影技術　2.2　蝕刻技術第3章　薄膜沉積技術　3.1　金屬膜沉積技術　3.2　絕緣膜沉積技術第4章　氧化膜沈積技術　4.1　氧化矽膜的基本性質　4.2　單結晶矽的熱氧化　4.3　多結晶矽表面的氧化　4.4　總結第5章　雜質摻雜技術　5.1　擴散技術　5.2　離子植入技術第6章　潔淨化技術　6.1　濕式洗淨技術　6.2　乾式洗淨技術　6.3　吸氣(gettering)技術第7章　結晶成長技術　7.1　矽結晶成長技術　7.2　控制結晶缺陷的技術　7.3　單結晶晶圓技術　7.4　SOI技術第8章　高˙強介電質薄膜形成技術　8.1　強介電質材料和其在ULSI中的定位　8.2　Ta2O5電容器形成技術　8.3　立方晶(Perovskite)薄膜形成技術第9章　製程模組技術　9.1　元件隔離技術　9.2　連接(contact)技術　9.3　多層導線技術　9.4　電容器技術第10章　製程模擬技術　10.1　所謂製程模擬　10.2　氧化工程　10.3　擴散工程　10.4　成膜、蝕刻工程　10.5　高速處理技術及其利用技術的重要性　10.6　分子動力學模擬器第11章　ULSI製程技術將來的動向和課題

第1章　ULSI的構造及必要的製程技術第2章　微細加工技術　2.1　微影技術　2.2　蝕刻技術第3章　薄膜沉積技術　3.1　金屬膜沉積技術　3.2　絕緣膜沉積技術第4章　氧化膜沈積技術　4.1　氧化矽膜的基本性質　4.2　單結晶矽的熱氧化　4.3　多結晶矽表面的氧化　4.4　總結第5章　雜質摻雜技術　5.1　擴散技術　5.2　離子植入技術第6章　潔淨化技術　6.1　濕式洗淨技術　6.2　乾式洗淨技術　6.3　吸氣(gettering)技術第7章　結晶成長技術　7.1　矽結晶成長技術　7.2　控制結晶缺陷的技術　7.3　單結晶晶圓技術　7.4　SOI技術第8章　高˙強介電質...