VLSI製程技術

1LSI製程技術概要1.1　前　言1-11.2　前段工程之製造流程1-21.2.1　晶圓處理工程之製造流程1-21.2.2　配線工程之製造流程1-61.3　基本製程技術1-81.3.1　清洗技術1-81.3.2　熱氧化技術1-91.3.3　成膜技術1-101.3.4　光微影(photolithography)技術1-131.3.5　蝕刻(etching)技術1-141.3.6　離子植入(ionimplantation)技術1-141.3.7　平坦化(planarization)技術1-152光微影製程2.1　前　言2-12.2　光阻塗佈製程2-32.2.1　由下層表面狀態所致之不良塗佈2-32.2.2　下面斷差對於上面光阻厚度之影響2-52.3　曝光製程2-72.3.1　來自於下方之反射所造成之異常曝光2-72.3.2　反射之防止2-112.4　顯像，圖案強化製程2-172.4.1　顯像工程流程2-172.4.2　光阻圖案尺寸之控制2-183晶圓處理工程3.1　前　言3-13.2　選擇性氧化3-53.2.1　Si3N4膜於電漿蝕刻時所發生之問題3-53.3　閘極氧化3-83.4　閘極電極之形成3-93.5　離子植入法3-103.6　源極．汲極之形成3-123.6.1　電荷囤積(chargeup)3-124配線工程4.1　前　言4-14.2　接觸孔之形成4-24.2.1　圖案轉換誤差4-24.2.2　反應性生成物4-34.2.3　接觸特性之異常現象4-64.3通孔之形成4-94.3.1　反應性生成物4-94.3.2　反應性生成物之去除4-124.3.3　連接特性之異常現象4-134.4　配線之形成4-174.4.1　斷差上之配線窄化4-174.4.2　斷面形狀之變化4-194.4.3　反應性生成物4-214.4.4　小丘(hillock)4-234.4.5　空洞(void)4-254.4.6　Al之龜裂(crack)4-284.4.7　遷移(migration)4-294.4.8　Al之鬚狀物之成長(whiskergrowth)4-314.5　層間絕緣膜之形成4-314.5.1　層間絕緣膜之缺陷4-314.5.2　保護(passivation)膜之缺陷4-334.5.3　平坦化4-345塵埃、污染5.1　前　言5-15.2　塵埃之觀察範例5-45.2.1　浮游塵埃(環境塵埃)5-45.2.2　光阻碎片之塵埃5-55.2.3　清洗工程時所附著之塵埃5-55.2.4　加工塵埃5-65.2.5　加工缺陷5-65.3　化學污染5-76故障分析技術6.1　前　言6-16.2　故障位置之判定技術6-36.2.1　液晶分析法6-36.2.2　利用放射式(Emission)顯微鏡之分析法6-56.2.3　EB測試器分析法6-106.3　構造分析及組成分析技術6-126.3.1　構造分析6-126.3.2　組成分析6-176.4　故障分析事例6-206.4.1　液晶分析／構造分析6-206.4.2　發射式(Emission)顯微鏡分析／構造分析6-216.4.3　EB測試器分析／構造分析6-227後段工程7.1　前　言7-17.2　後段工程之製造流程7-27.2.1　LSI晶粒分離7-37.2.2　晶粒貼附(diebonding)7-47.2.3　打線結合(wirebonding)7-57.3　封裝(packaging)7-77.4　封裝與包裝之新的發展7-97.4.1　LSI晶粒之銲墊片之改良與沒有封罩晶粒之包裝7-97.4.2　封裝之變化7-107.5　印刷基板形狀之變化7-118製程技術之評估與檢討8.1　前　言8-18.2　製程評估項目之設定8-28.3　關於LSI製造之新技術8-38.4　微影技術8-48.5　成膜技術．絕緣膜之形成8-68.6　金屬膜之形成，poly-Si之替代品8-78.7　平坦化技術8-89未來展望

1LSI製程技術概要1.1　前　言1-11.2　前段工程之製造流程1-21.2.1　晶圓處理工程之製造流程1-21.2.2　配線工程之製造流程1-61.3　基本製程技術1-81.3.1　清洗技術1-81.3.2　熱氧化技術1-91.3.3　成膜技術1-101.3.4　光微影(photolithography)技術1-131.3.5　蝕刻(etching)技術1-141.3.6　離子植入(ionimplantation)技術1-141.3.7　平坦化(planarization)技術1-152光微影製程2.1　前　言2-12.2　光阻塗佈製程2-32.2.1　由下層表面狀態所致之不良塗佈2-32.2.2　下面斷差對於上面光阻厚度之影響2-52.3　曝光製程2-72.3.1　來自於下方之反射所...