IC封裝製程與CAE應用（修訂版）

1前　言1-1　封裝的目的[1]1-11-2　封裝的技術層級區分1-21-3　封裝的分類1-41-4　IC封裝技術簡介1-41-5　IC封裝的發展[4]1-52IC封裝製程2-1　晶圓切割(WaferSaw)2-12-2　晶片黏結2-32-3　聯線技術2-52-3-1　打線接合(WireBonding)2-62-3-2　卷帶自動接合(TapeAutomatedBonding，TAB)[6][7]2-112-3-3　覆晶接合(FlipChip，FC)2-132-4　封膠(Molding)2-152-5　剪切／成型(Trim/Form)2-172-6　印字(Mark)2-182-7　檢測(Inspection)2-193IC元件的分類／介紹3-1　封裝外型標準化的機構[1]3-13-2　IC元件標準化的定義3-43-2-1　依封裝中組合的IC晶片數目來分類3-43-2-2　依封裝的材料來分類3-43-2-3　依IC元件與電路板接合方式分類3-63-2-4　依引腳分佈型態分類3-73-2-5　依封裝形貌與內部結構分類3-93-3　IC元件的介紹3-113-3-1　DIP3-113-3-2　SIP3-133-3-3　PGA3-143-3-4　SOP3-143-3-5　SOJ3-153-3-6　PLCC3-153-3-7　QFP3-163-3-8　BGA3-173-3-9　FC3-174封裝材料的介紹4-1　封膠材料4-14-1-1　陶瓷材料4-14-1-2　固態封模材料(EpoxyMoldingCompound，EMC)[1][2]4-24-1-3　液態封止材料(LiquidEncapsulant)[3]4-64-1-4　封裝材料市場分析與技術現況[4]4-94-2　導線架4-104-2-1　導線架的材料[5][6]4-114-2-2　導線架的製造程序4-124-2-3　導線架的特性與技術現況[7]4-174-3　基　板4-184-3-1　基板的材料[8]4-194-3-2　基板的製造程序[7][8]4-204-3-3　基板的特性與技術現況[4][7]4-235新世代的封裝技術5-1　MCM(Multi-ChipModule)5-15-1-1　多晶片模組的定義與分類5-35-1-2　多晶片模組的發展現況5-75-2　LOC(Lead-on-Chip)5-75-2-1　LOC的封裝方式5-85-2-2　LOC封裝的製程5-95-3　BGA(BallGridArray)5-115-3-1　BGA的定義、分類與結構5-125-3-2　BGA的優異性5-185-3-3　技術趨勢和未來發展5-205-4　FC(FlipChip)5-215-4-1　凸塊接點製作5-245-4-2　覆晶接合5-335-4-3　底部填膠製程(Underfill)5-355-5　CSP(ChipScalePackage)5-375-5-1　CSP的構造5-385-5-2　CSP的製作方法5-405-5-3　CSP的特性5-425-5-4　CSP的發展現況5-445-6　COF(ChiponFlexorChiponFilm)5-465-6-1　COF的優點5-475-6-2　COF的缺點5-495-6-3　COF的現況與發展5-495-7　COG(ChiponGlass)5-505-7-1　驅動IC構裝技術的介紹5-515-7-2　COG技術應用的關鍵材料5-525-7-3　目前COG的發展課題5-585-7-4　未來展望5-615-7-5　結論5-635-8　三次元封裝(3DimensionalPackage)5-635-8-1　三次元封裝的特色及封裝分類5-645-8-2　三次元封裝技術的介紹5-705-8-3　三次元封裝技術的應用和發展5-726IC封裝的挑戰／發展6-1　封裝缺陷的預防6-16-1-1　金線偏移問題6-16-1-2　翹曲變形問題6-36-1-3　其他封裝缺陷6-46-2　封裝材料的要求和技術發展6-66-2-1　黏晶材料6-76-2-2　封膠材料[2][3]6-76-2-3　導線架、基板的技術發展[6]6-126-3　散熱問題的規劃[7][8][9][10]6-146-3-1　IC熱傳基本特性6-156-3-2　IC熱阻量測技術與應用6-176-3-3　散熱片(HeatSink)的應用6-246-3-4　熱管(HeatPipe)的應用6-326-3-5　印刷電路板(PCB)之散熱技術6-346-3-6　新型散熱技術之發展6-436-3-7　3組不同封裝型態的高密度元件熱傳改善探討6-456-3-8　結　論6-507CAE在IC封裝製程的應用7-1　CAE簡介7-27-2　CAE的理論基礎7-27-3　封裝製程的模具設計7-47-4　封裝製程的模流分析[7][8][9]7-47-5　封裝製程的可靠度分析7-107-5-1　熱應力與溫度分佈的探討7-107-5-2　金線偏移的預測7-107-5-3　翹曲變形的分析[14]7-157-5-4　錫球疲勞壽命的計算[15][16]7-217-5-5　錫球裂紋成長的分析7-247-5-6　覆晶底膠(Underfill)充填分析7-257-6　CAE工程分析應用在IC封裝製程的案例介紹7-307-6-1　模流分析案例I：SAMPO_BGA436L[9]7-307-6-2　模流分析案例II：SPIL_BGA492L[9][36]7-377-6-3　模流分析案例III：SPIL_QFP208L[9]7-467-6-4　金線偏移分析案例：SPIL_BGA492L[9][36]7-557-6-5　翹曲變形分析案例：SAMPO_BGA436L[14]7-587-6-6　翹曲變形分析案例：FCBGA7-717-6-7　疲勞壽命分析案例7-797-6-8無鉛錫球在溫度循環試驗下之可靠度評估7-837-6-9　Underfill分析案例I：錫球數量和凸塊配置對充填流動的探討7-957-6-10　Underfill分析案例II7-1137-7　結　論7-1308電子封裝辭彙8-1　專業術語8-1AIC導線架之自動化繪圖系統A-1　軟體簡介附A-1A-2　佈線區域理論和參數化附A-2A-2-1　佈線區域理論附A-2A-2-2　佈線區域參數化附A-3A-3　自動規劃佈線區域之準則附A-4A-3-1　主區域的選取與搜尋附A-5A-3-2　內引腳端點位置的搜尋與計算附A-6A-3-3　次區域的規劃附A-7A-3-4　金線之計算與繪製附A-8A-4　案例研究附A-9A-4-1　DIP24pins附A-10A-4-2QFP型附A-17A-5　研究成果附A-22A-6　未來展望附A-23B金線偏移分析軟體B-1　軟體簡介附B-1B-2　CAE分析資料的匯入附B-3B-3　金線資料的輸入附B-4B-3-1　金線材料性質的定義附B-4B-3-2　模穴參考幾何中心的定義附B-5B-3-3　金線幾何座標的輸入附B-7B-3-4　FitCurve的繪製附B-9B-3-5　實際金線偏移量的輸入和顯示附B-11B-4　金線偏移量的計算附B-13B-4-1　CAE網格資料的擷取附B-14B-4-2　GapwiseInformation附B-14B-4-3　CalculatedInformation附B-15B-4-4　金線偏移量的計算結果附B-16B-4-5　擷取網格位置的顯示附B-16B-4-6　CircularArch公式解的計算附B-18B-5　分析結果的整合與匯出附B-18B-5-1　ANSYSLog檔的輸出附B-18B-5-2　金線偏移趨勢的繪出附B-21B-6　未來展望附B-22

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