目錄
1前 言1-1 封裝的目的[1]1-11-2 封裝的技術層級區分1-21-3 封裝的分類1-41-4 IC封裝技術簡介1-41-5 IC封裝的發展[4]1-52IC封裝製程2-1 晶圓切割(WaferSaw)2-12-2 晶片黏結2-32-3 聯線技術2-52-3-1 打線接合(WireBonding)2-62-3-2 卷帶自動接合(TapeAutomatedBonding，TAB)[6][7]2-112-3-3 覆晶接合(FlipChip，FC)2-132-4 封膠(Molding)2-152-5 剪切／成型(Trim/Form)2-172-6 印字(Mark)2-182-7 檢測(Inspection)2-193IC元件的分類／介紹3-1 封裝外型標準化的機構[1]3-13-2 IC元件標準化的定義3-43-2-1 依封裝中組合的IC晶片數目來分類3-43-2-2 依封裝的材料來分類3-43-2-3 依IC元件與電路板接合方式分類3-63-2-4 依引腳分佈型態分類3-73-2-5 依封裝形貌與內部結構分類3-93-3 IC元件的介紹3-113-3-1 DIP3-113-3-2 SIP3-133-3-3 PGA3-143-3-4 SOP3-143-3-5 SOJ3-153-3-6 PLCC3-153-3-7 QFP3-163-3-8 BGA3-173-3-9 FC3-174封裝材料的介紹4-1 封膠材料4-14-1-1 陶瓷材料4-14-1-2 固態封模材料(EpoxyMoldingCompound，EMC)[1][2]4-24-1-3 液態封止材料(LiquidEncapsulant)[3]4-64-1-4 封裝材料市場分析與技術現況[4]4-94-2 導線架4-104-2-1 導線架的材料[5][6]4-114-2-2 導線架的製造程序4-124-2-3 導線架的特性與技術現況[7]4-174-3 基 板4-184-3-1 基板的材料[8]4-194-3-2 基板的製造程序[7][8]4-204-3-3 基板的特性與技術現況[4][7]4-235新世代的封裝技術5-1 MCM(Multi-ChipModule)5-15-1-1 多晶片模組的定義與分類5-35-1-2 多晶片模組的發展現況5-75-2 LOC(Lead-on-Chip)5-75-2-1 LOC的封裝方式5-85-2-2 LOC封裝的製程5-95-3 BGA(BallGridArray)5-115-3-1 BGA的定義、分類與結構5-125-3-2 BGA的優異性5-185-3-3 技術趨勢和未來發展5-205-4 FC(FlipChip)5-215-4-1 凸塊接點製作5-245-4-2 覆晶接合5-335-4-3 底部填膠製程(Underfill)5-355-5 CSP(ChipScalePackage)5-375-5-1 CSP的構造5-385-5-2 CSP的製作方法5-405-5-3 CSP的特性5-425-5-4 CSP的發展現況5-445-6 COF(ChiponFlexorChiponFilm)5-465-6-1 COF的優點5-475-6-2 COF的缺點5-495-6-3 COF的現況與發展5-495-7 COG(ChiponGlass)5-505-7-1 驅動IC構裝技術的介紹5-515-7-2 COG技術應用的關鍵材料5-525-7-3 目前COG的發展課題5-585-7-4 未來展望5-615-7-5 結論5-635-8 三次元封裝(3DimensionalPackage)5-635-8-1 三次元封裝的特色及封裝分類5-645-8-2 三次元封裝技術的介紹5-705-8-3 三次元封裝技術的應用和發展5-726IC封裝的挑戰／發展6-1 封裝缺陷的預防6-16-1-1 金線偏移問題6-16-1-2 翹曲變形問題6-36-1-3 其他封裝缺陷6-46-2 封裝材料的要求和技術發展6-66-2-1 黏晶材料6-76-2-2 封膠材料[2][3]6-76-2-3 導線架、基板的技術發展[6]6-126-3 散熱問題的規劃[7][8][9][10]6-146-3-1 IC熱傳基本特性6-156-3-2 IC熱阻量測技術與應用6-176-3-3 散熱片(HeatSink)的應用6-246-3-4 熱管(HeatPipe)的應用6-326-3-5 印刷電路板(PCB)之散熱技術6-346-3-6 新型散熱技術之發展6-436-3-7 3組不同封裝型態的高密度元件熱傳改善探討6-456-3-8 結 論6-507CAE在IC封裝製程的應用7-1 CAE簡介7-27-2 CAE的理論基礎7-27-3 封裝製程的模具設計7-47-4 封裝製程的模流分析[7][8][9]7-47-5 封裝製程的可靠度分析7-107-5-1 熱應力與溫度分佈的探討7-107-5-2 金線偏移的預測7-107-5-3 翹曲變形的分析[14]7-157-5-4 錫球疲勞壽命的計算[15][16]7-217-5-5 錫球裂紋成長的分析7-247-5-6 覆晶底膠(Underfill)充填分析7-257-6 CAE工程分析應用在IC封裝製程的案例介紹7-307-6-1 模流分析案例I：SAMPO_BGA436L[9]7-307-6-2 模流分析案例II：SPIL_BGA492L[9][36]7-377-6-3 模流分析案例III：SPIL_QFP208L[9]7-467-6-4 金線偏移分析案例：SPIL_BGA492L[9][36]7-557-6-5 翹曲變形分析案例：SAMPO_BGA436L[14]7-587-6-6 翹曲變形分析案例：FCBGA7-717-6-7 疲勞壽命分析案例7-797-6-8無鉛錫球在溫度循環試驗下之可靠度評估7-837-6-9 Underfill分析案例I：錫球數量和凸塊配置對充填流動的探討7-957-6-10 Underfill分析案例II7-1137-7 結 論7-1308電子封裝辭彙8-1 專業術語8-1AIC導線架之自動化繪圖系統A-1 軟體簡介附A-1A-2 佈線區域理論和參數化附A-2A-2-1 佈線區域理論附A-2A-2-2 佈線區域參數化附A-3A-3 自動規劃佈線區域之準則附A-4A-3-1 主區域的選取與搜尋附A-5A-3-2 內引腳端點位置的搜尋與計算附A-6A-3-3 次區域的規劃附A-7A-3-4 金線之計算與繪製附A-8A-4 案例研究附A-9A-4-1 DIP24pins附A-10A-4-2QFP型附A-17A-5 研究成果附A-22A-6 未來展望附A-23B金線偏移分析軟體B-1 軟體簡介附B-1B-2 CAE分析資料的匯入附B-3B-3 金線資料的輸入附B-4B-3-1 金線材料性質的定義附B-4B-3-2 模穴參考幾何中心的定義附B-5B-3-3 金線幾何座標的輸入附B-7B-3-4 FitCurve的繪製附B-9B-3-5 實際金線偏移量的輸入和顯示附B-11B-4 金線偏移量的計算附B-13B-4-1 CAE網格資料的擷取附B-14B-4-2 GapwiseInformation附B-14B-4-3 CalculatedInformation附B-15B-4-4 金線偏移量的計算結果附B-16B-4-5 擷取網格位置的顯示附B-16B-4-6 CircularArch公式解的計算附B-18B-5 分析結果的整合與匯出附B-18B-5-1 ANSYSLog檔的輸出附B-18B-5-2 金線偏移趨勢的繪出附B-21B-6 未來展望附B-22
1前 言1-1 封裝的目的[1]1-11-2 封裝的技術層級區分1-21-3 封裝的分類1-41-4 IC封裝技術簡介1-41-5 IC封裝的發展[4]1-52IC封裝製程2-1 晶圓切割(WaferSaw)2-12-2 晶片黏結2-32-3 聯線技術2-52-3-1 打線接合(WireBonding)2-62-3-2 卷帶自動接合(TapeAutomatedBonding，TAB)[6][7]2-112-3-3 覆晶接合(FlipChip，FC)2-132-4 封膠(Molding)2-152-5 剪切／成型(Trim/Form)2-172-6 印字(Mark)2-182-7 檢測(Inspection)2-193IC元件的分類／介紹3-1 封裝外型標準化的機構[1]3-13-2 IC元件標準化的定義3-43-2-1 依封裝中組合的I...
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