目錄
第1章概論1-1 原子結構與元素週期表1-21-21本質半導體(IntrinsicSemiconductor)1-41-3 摻雜→外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)1-51-3-1 施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)1-61-3-2 受體雜質(Acceptors)與P型半導體(PType)1-101-4 本質半導體、外質半導體的電阻溫度係數1-121-5 積體電路1-14第2章二極體與稽納二極體2-1 PN二極體的開路特性2-22-1-1 空乏區2-42-1-2 障壁電壓2-52-2 二極體之外加偏壓特性2-72-2-1 順向偏壓(forwardbias)2-72-2-2 逆向偏壓(reversebias)2-92-3 二極體電流方程式2-122-3-1 順向偏壓V-I曲線2-122-3-2 逆向偏壓之V-I曲線2-132-4 二極體之五大等效電路解法2-152-4-1 理想二極體(idealdiode)等效電路2-152-4-2 定電壓模式等效電路2-182-4-3 戴維寧等效電路，含順向內阻與障壁電壓2-212-5 二極體的溫度效應2-242-5-1 障壁電壓之溫度效應2-252-5-2 逆向飽和電流(漏電電流)之溫度效應2-252-6 二極體之內阻2-282-6-1 直流靜態內阻2-282-6-2 交流動態內阻2-292-7 二極體的電容效應2-312-7-1 擴散電容量(DiffusionCapacitance，CD)2-312-7-2 過渡電容量(TransitionCapacitor，CT)2-322-8 可變電容二極體(variablecapacitance-diode)2-352-9 稽納二極體(ZenerDiode)2-362-9-1 理想的zener特性2-382-9-2 實際的zener特性2-42第3章電源電路3-1 概 論3-23-1-1 正弦波(sinewave)3-23-1-2 正弦波振幅的四值：VP-P、Vm、Vrms、Vav3-33-1-3 正弦波經全波整流振幅的三值3-73-1-4 正弦波經半波整流振幅的三值3-83-2 半波整流電路3-103-2-1 工作原理3-113-2-2 半波整流之輸出值3-133-2-3 實際的半波整流輸出波形3-153-2-4 半波整流加濾波電容器3-163-3 中心抽頭式全波整流器3-173-3-1 工作原理3-193-3-2 中心抽頭式的輸出值3-213-3-3 實際的中心抽頭式整流輸出波形3-213-4 橋式全波整流3-223-4-1 工作原理3-243-4-2 橋式整流的輸入值3-273-4-3 實際的橋式整流輸出波形3-293-5 倍壓整流電路3-313-5-1 半波倍壓電路3-313-5-2 全波倍壓電路3-343-6 漣波與漣波百分比3-373-6-1 漣波因數(ripplefactor)3-373-6-2 濾波電路與漣波百分比3-393-6-3 證明全波3-41第4章雙極性電晶體BJT4-1 雙極性與單極性4-24-1-1 BJT的製造與符號4-34-1-2 VOM測BJT之各腳4-54-1-3 電晶體的編號4-74-2 JE順向、JC逆向與β值4-94-2-1 工作區(Active)：為何JE順向、JC逆向4-94-2-2 電晶體的電流增益(CurrentGain)－β值4-134-3 電晶體的三種放大組態(三態)4-164-3-1 共基式(C-B)4-174-3-2 共射式(C-E)4-194-3-3 共集式(C-C)射極隨耦器4-214-4 電晶體的三區：飽和區、工作區、截止區4-254-4-1 截止區(cut-OFFregion)4-294-4-2 主動區(activeregion)4-294-4-3 飽和區(satregion)4-314-5 直流負載線(DCLoadLine)4-324-6 電晶體與開關電路4-364-6-1 電晶體與反相器4-364-6-2 電晶體與LED4-384-6-3 電晶體與繼電器4-39第5章電晶體的靜態工作點－直流偏壓分析5-1 共射式放大電路偏壓設計5-25-1-1 固定偏壓法(FixedBias)5-25-1-2 射極回授偏壓法(Emitter-FeedbackBias)5-85-1-3 自給偏壓法(Self-Bias)5-125-1-4 集極回授偏壓法(Collector-FeedbackBias)5-215-2 共集極式偏壓電路5-265-3 共基極式偏壓電路5-285-4 電流鏡(TheCurrentMirror)5-315-4-1 電晶體式1比1電流鏡(β＋2比β 1：1)5-315-4-2 威爾森電流鏡(TheWilsonCurrentMirror)5-345-4-3 增強型MOSFET之電流鏡5-365-5 小信號之定義5-385-6 參數之定義5-415-7 h參數的近似解5-455-7-1 h參數移植在C-E電晶體5-495-8 C-E四大電路分析5-525-8-1 無RE－固定偏壓電路5-525-8-2 有RE，但無CE5-575-8-3 含CE－射極旁路電容器5-625-8-4 含有信號源內阻－RS5-695-9h參數移植在C-C電晶體5-715-9-1 共集式－CC式放大電路5-725-10達靈頓電路(DarlingtonCircuit)5-795-11串級放大5-83第6章 多級放大6-1 與6-26-2 串級放大之──賺了AVT，賠了BWT6-46-3 米勒效應(MillerEffect)6-76-3-1 米勒電阻器6-76-3-2 米勒電容器(量)6-106-4 高頻不良之元凶6-146-4-1 fα，fβ，fT6-156-5 低頻響應不良之元凶6-18附錄A接合面場效應電晶體J-FETA-1 FET的分類A-2A-1-1 何謂單載子？何謂雙載子？A-6A-1-2 何謂電壓控制元件？何謂電流控制元件？A-8A-2 Nq道JFETA-10A-2-1 FET由三極體區(電阻區)進入夾止區(飽和區)A-11A-2-2 IDSS的定義A-15A-2-3 Vp＝VGS(OFF)的定義：夾止(Pinch-OFF)A-17A-2-4 三極體區與飽和區(夾止區)之分界A-18A-3 N-JFET的電壓電流方程式A-20A-3-1 三極體區(TriodeRegion)電壓電流方程式A-21A-3-2 夾止區(PinchRegion)電壓電流方程式A-24A-4 N-JFET的三種直流偏壓設計A-27A-4-1 固定偏壓(fixedbias)A-29A-4-2 源極自給偏壓(self-bias)A-31A-4-3 自給偏壓與固定偏壓合用A-34A-4-4 總整理A-37A-5 JFET的交流分析A-40A-5-1 交流信號轉移函數?gmA-40A-5-2 JFET交流等效電路A-41A-6 JFET共源式放大器A-42A-6-1 共源式RS不存在A-42A-6-2 共源式含存在 使用戴維寧等效電路A-45A-7 JFET共汲式放大器：源極隨耦器A-48A-7-1 靴帶式電路A-52A-8 P通道JFETA-53A-9 FET與BJT之優缺點A-55附錄B MOS-FET金氧半場效應電晶體B-1 N通道增強型MOSFETB-4B-1-1 物理結構B-4B-1-2 電流方程式B-6B-1-3 三極體區(歐姆區)B-9B-1-4 夾止區(定電流區、飽和區)B-11B-2 N通道增強型MOSFET之直流偏壓分析B-13B-2-1 自給偏壓方式B-13B-2-2 汲極回授偏壓方式B-18B-2-3 MOS增強型之電流鏡(CurrentMirror)B-25B-3 N通道增強型MOSFET之交流分析?gmB-28B-4 增強型P通道MOSFETB-31B-5 空乏型N通道MOSFETB-34B-6 空乏型P通道MOSFETB-38
第1章概論1-1 原子結構與元素週期表1-21-21本質半導體(IntrinsicSemiconductor)1-41-3 摻雜→外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)1-51-3-1 施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)1-61-3-2 受體雜質(Acceptors)與P型半導體(PType)1-101-4 本質半導體、外質半導體的電阻溫度係數1-121-5 積體電路1-14第2章二極體與稽納二極體2-1 PN二極體的開路特性2-22-1-1 空乏區2-42-1-2 障壁電壓2-52-2 二極體之外加偏壓特性2-72-2-1 順向偏壓(forwardbias)2-72-2-2 逆向偏壓(reversebias)2-92-3 二極體電流方程式2-122-3-1 順向偏壓V-I曲線...
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