發光二極體之原理與製程

第一章材料概論1-11.1晶體性質1-21.1.1晶格(lattice)1-21.1.2晶面與晶向1-31.1.3晶體結構1-41.1.4布里勞因區1-61.2能帶1-71.2.1能帶的形成1-71.2.2能量-動量關係1-81.2.3導體、半導體和絕緣體1-111.3半導體材料1-121.3.1半導體材料的分類1-121.3.2化合物半導體1-121.3.3半導體的摻雜1-141.4晶體匹配1-171.4.1晶格匹配1-261.4.2材料的選擇1-26第二章載子傳輸現象1-282.1載子傳輸現象2-22.1.1漂泊2-22.1.2電阻2-32.1.3散射2-52.2載子擴散2-62.2.1擴散過程2-62.2.2愛因斯坦關係式2-82.2.3電流密度方程式2-92.3複合過程2-92.3.1輻射複合2-102.3.2非輻射複合2-132.3.3表面複合2-162.4連續性方程式2-182.4.1單邊穩態注入2-202.4.2海恩士-蕭克萊實驗第3章p-n接面理論3-13.1平衡條件3-23.2空乏區3-53.3電流-電壓特性3-83.3.1理想穩態特性3-83.3.2產生-複合電流3-123.4電容-電壓特性3-133.3.1理想穩態特性3-133.3.2產生-複合電流3-153.5暫態現象3-163.5.1暫態響應3-173.5.2反向恢復暫態3-193.6接面崩潰3-203.6.1稽納崩潰3-203.6.2倍增崩潰3-20第四章金屬-半導體接觸理論4-14.1金屬-半導體接觸的形式4-24.1.1金屬n型半導體接觸4-24.1.2金屬-p型半導體接觸4-54.2蕭基接觸4-64.2.1熱離子放射理論4-74.2.2電流-電壓特性4-94.2.3電位障高度4-124.2.4空乏區4-144.2.5電位障高度的量測方法4-164.3毆姆接觸4-194.3.1非合金接觸4-204.3.2合金接觸4-204.3.3穿透接觸4-224.3.4傳輸線模型理論4-25第五章晶體成長與量測5-15.1單晶成長5-35.1.1相平衡5-35.1.2柴可拉斯基長晶法5-45.1.3布吉曼長晶法5-65.1.4垂直梯度冷卻式長晶法5-85.2磊晶成長5-105.2.1液相磊晶法5-105.2.2氣相磊晶法5-135.2.3有機金屬氣相沉積法5-155.2.4分子束磊晶法5-185.2.5四種磊晶法的比較5-225.3晶體量測5-225.3.1X光繞射學5-225.3.2光吸收光譜5-255.3.3光激發光譜5-275.3.4霍爾量測5-31第六章發光二極體之製程技術6-16.1金屬化製程6-26.2微影製程

第一章材料概論1-11.1晶體性質1-21.1.1晶格(lattice)1-21.1.2晶面與晶向1-31.1.3晶體結構1-41.1.4布里勞因區1-61.2能帶1-71.2.1能帶的形成1-71.2.2能量-動量關係1-81.2.3導體、半導體和絕緣體1-111.3半導體材料1-121.3.1半導體材料的分類1-121.3.2化合物半導體1-121.3.3半導體的摻雜1-141.4晶體匹配1-171.4.1晶格匹配1-261.4.2材料的選擇1-26第二章載子傳輸現象1-282.1載子傳輸現象2-22.1.1漂泊2-22.1.2電阻2-32.1.3散射2-52.2載子擴散2-62.2.1擴散過程2-62.2.2愛因斯坦關係式2-82.2.3電流密度方程式2-92.3複合過程2-92.3.1輻射複合2-102....