目錄
第1章 概 論1-1 電子學發展的歷史1-11-2 積體電路(IntegratedCircuit；簡稱IC)時期1-21-3 基本波形的認識1-31-4 正弦波(sinewave)1-51-4-1 平均值1-71-4-2 正弦波的有效值1-81-5 方波(SquareWave)1-101-6 三角波與鋸齒波1-121-7 波形因素與波峰因素1-13第2章 二極體的物理性質及特性2-1 原子結構與元素週期表2-12-2 本質半導體(IntrinsicSemiconductor)2-42-3 摻雜－外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)2-52-3-1 多數載子與少數載子2-62-3-2 施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)2-62-3-3 受體雜質(Acceptors)與P型半導體(PType)2-102-3-4 本質半導體、外質半導體的電阻溫度係數2-122-3-5 電子流(electroncurrents)與電洞流(holecurrents)2-142-4 PN二極體的開路特性2-152-4-1 空乏區2-162-4-2 障壁電壓2-182-5 二極體之外加偏壓特性2-202-5-1 順向偏壓(forwardbias)2-202-5-2 逆向偏壓(reversebias)2-212-6 二極體電流方程式2-232-7 二極體之三大等效電路解法2-262-7-1 理想二極體(idealdiode)等效電路2-272-7-2 定電壓模式等效電路2-302-7-3 戴維寧等效電路，含順向內阻與障壁電壓2-332-8 二極體障壁電壓與漏電電流的溫度效應2-362-9 二極體的電容效應2-392-9-1 擴散電容量(DiffusionCapacitance，CD)2-392-9-2 過渡電容量(TransitionCapacitor，CT)2-392-10稽納二極體(zenerdiode)2-412-11 可變電容二極體(variablecapacitance-diode)2-502-12 發光元件2-51第3章 二極體的應用電路3-1 整流概論3-13-2 半波整流電路3-33-2-1 工作原理3-43-2-2 半波整流之輸出值3-53-3 中心抽頭式全波整流器3-83-3-1 工作原理3-103-3-2 中心抽頭式的輸出值3-113-4 橋式全波整流3-133-4-1 工作原理3-133-4-2 橋式整流的輸出值3-153-5 倍壓整流電路3-193-5-1 半波倍壓電路3-203-5-2 全波倍壓電路3-223-6 漣波與漣波百分比3-243-6-1 漣波因數(ripplefactor)3-243-6-2 濾波電路與漣波百分比3-253-6-3 證明全波3-273-7 直流電壓調整率3-313-7-1 ZenerDiode方式穩壓3-323-7-2 擴充供應電流之稽納穩壓電路3-333-7-3 穩壓IC3-343-8 箝位電路(ClampingCircuit)3-393-9 截波電路(ClippingCircuit)3-463-9-1 三點判斷法3-473-9-2 Vo與Vi之V-V轉換曲線3-473-9-3 二極體串聯截波電路(一)3-483-9-4 二極體加偏壓之串聯截波器(二)3-503-9-5 二極體並聯截波電路3-523-9-6 雙截波電路3-543-9-7 稽納二極體截波電路3-57第4章 雙極性電晶體BJT4-1 雙極性與單極性4-14-1-1 BJT的製造與符號4-24-1-2 電晶體的編號4-64-2 JE順向、JC逆向與值4-94-2-1 工作區(Active)：為何JE順向、JC逆向4-94-2-2 電晶體的電流增益(CurrentGain)－值4-124-3 電晶體的三種放大組態(三態)4-144-3-1 共基式(CB)4-154-3-2 共射式(CE)4-174-3-3 共集式(CC)射極隨耦器4-194-4 電晶體的三區：飽和區、工作區、截止區4-224-4-1 截止區(cut-OFFregion)4-254-4-2 主動區(activeregion)4-254-4-3 飽和區(satregion)4-264-5 電晶體與開關電路4-284-5-1 電晶體與反相器4-284-5-2 電晶體與LED4-324-5-3 電晶體與繼電器4-32第5章 電晶體直流工作點的分析5-1 直流負載線(DCLoadLine)5-15-1-1 最佳直流工作點(thebestDCquiescentpoint)5-35-2 共射式放大電路偏壓設計5-55-2-1 固定偏壓法(FixedBias)5-55-2-2 射極回授偏壓法(Emitter-FeedbackBias)5-115-2-3 自給偏壓法(Self-Bias)5-155-2-4 集極回授偏壓法(Collector-FeedbackBias)5-215-3 共集極式偏壓電路5-255-4 共基極式偏壓電路5-265-5 電晶體式1比1(比1：1)電流鏡(TheCurrentMirror)5-29第6章 電晶體之交流小信號分析6-1 小信號之定義6-16-2 共射極放大四大電路分析6-66-2-1 無RE一固定偏壓電路6-76-2-2 有RE，但無CE6-96-2-3 含CE-射極旁路電容器6-126-2-4 含有信號源內阻-RS6-196-3 共集式－CC式放大電路6-206-4 共基極式放大電路6-246-5 達靈頓電路(DarlingtonCircuit)6-27第7章 串級放大電路7-1 變壓器交連式放大器7-17-2 電阻／電容耦合式放大器7-57-3 直接耦合式放大器(direct-coupledmultistageamplifiers)7-77-4 分貝7-97-4-1 AP與分貝7-97-4-2 APV與分貝7-107-4-3 dBm7-117-4-4 AVT與dBT(Total)7-12第8章 埸效電晶體之特性8-1 FET的分類8-28-1-1 何謂單載子？何謂雙載子？8-48-1-2 何謂電壓控制元件？何謂電流控制元件？8-58-2 N-通道JFET8-68-2-1 FET由三極體區(電阻區)進入夾止區(飽和區)8-88-2-2 IDSS的定義8-118-2-3 Vp＝VGS(OFF)的定義：夾止(Pinch-OFF)8-128-3 N-JFET的電壓電流方程式8-138-3-1 三極體區(TriodeRegion)電壓電流方程式8-138-3-2 夾止區(PinchRegion)電壓電流方程式8-148-3-3 N-JFET的三種直流偏壓設計8-188-3-4 固定偏壓(fixedbias)8-198-3-5 源極自給偏壓(self-bias)8-208-3-6 自給偏壓與固定偏壓合用8-248-3-7 總整理8-268-4 P通道JFET8-278-5 FET與BJT之優缺點8-288-6 MOSFET的特性與參數8-308-7 N通道增強型MOSFET8-318-7-1 物理結構8-318-7-2 電流方程式8-348-7-3 三極體區(歐姆區)8-368-7-4 夾止區(定電流區、飽和區)8-378-8 N通道增強型MOSFET之直流偏壓分析8-388-8-1 自給偏壓方式8-388-8-2 汲極回授偏壓方式8-418-9 增強型P通道MOSFET8-458-10 空乏型N通道MOSFET8-478-11 空乏型P通道MOSFET8-50第9章 場效電晶體放大器電路9-1 FET的交流分析9-19-1-1 交流信號轉移函數－gm9-19-1-2 JFET交流等效電路9-49-2 共源式放大器9-49-2-1 共源式RS不存在9-59-2-2 共源式含RS存在使用戴維寧等效電路9-89-3 FET共汲式放大器：源極隨耦器9-109-3-1 靴帶式電路9-139-4 共閘極式放大器9-14第10章 運算放大器10-1 差動放大器10-110-1-1 差模、共模、CMRR與VO10-310-1-2 差動放大器的基本結構10-610-1-3 差動放大器的放大方式10-610-1-4 差動放大會拒絕共模雜訊(除暴)10-810-1-5 差動放大器只放大差模信號(安良)10-910-1-6 差動放大器之直流工作點分析10-910-1-7 差動放大器之交流放大分析10-1310-2 OPA概論10-1910-2-1 理想的運算放大器特性與包裝10-1910-2-2 反相輸入端(Vi－)、非反相輸入端(Vi＋)與VO關係10-2210-2-3 OPA內部直流偏壓分析10-2310-2-4 入相－虛短路(VirtualShortCircuit)10-2410-2-5 出將－OPA輸出端推挽作用與電壓、電流之限制10-2910-2-6 變動率(slewrateSR)與頻寬(BW)10-3010-3 反相放大器(invertingamplifier)10-3510-4 非反相放大器(Non-InvertingAmplifier)10-4010-5 加法電路(SummingAmplifier)10-4410-5-1 反相加法器10-4410-5-2 同相加法器10-4710-6 減法器(SubtractAmplifier)10-4910-6-1 單端輸入減法電路10-4910-6-2 多端輸入減法器10-5210-7 電壓隨耦器(VoltageFollower)10-5310-8 峰值追蹤器10-5410-9 D/A轉換器(DigitalToAnalogConverter)10-5610-9-1 加權電阻型電路10-5610-9-2 R/2R型電路10-5910-10 基本儀表放大器(IA)10-6210-11 定電流源電路10-6510-12 微分電路(Differentiation)10-6710-13 積分電路(Integrator)10-7010-14 精密整流電路10-7410-14-1直取正半週之半波整流10-7510-14-2直取負半週之正半波整流10-7610-15 四通電路－階被動元件濾波電路10-7810-15-1 積分器，低通(濾高)電路， 落後，LPF(LowPassFilter)10-7910-15-2 微分器，高通(濾低)電路， 超前(HighPassFilter,HPF)10-8210-15-3 帶通濾波器10-8610-15-4 拒通濾波器10-8710-16 四通電路－主動元件濾波電路10-8710-16-1 低通(濾高)濾波器 (Low-PassFilter或High-RejectionFilter)10-8810-16-2 高通(濾低)濾波器 (High-PassFilter或Low-RejectionFilter)10-9210-16-3 帶通濾波器(BandPassFilter,BPF)10-9610-16-4 帶止濾波器(BandRejectFilter,BRF)10-10010-17 OPA之直流偏壓造成VO的誤差與消除10-104第11章 基本振盪電路應用11-1 回授(feed-back)11-111-2 正弦波自激振盪的基本原理11-411-2-1 巴克豪森定則(BarkhausenCriterion)11-511-3 正弦波低頻振盪電路(AudioFrequency)11-611-3-1 RC相移振盪器(RC-phaseshiftoscillator)11-611-3-2 韋恩電橋振盪器(WeinBridge)11-1211-3-3 SungAndKay振盪器11-1811-4 正弦波射頻振盪電路(RadioFrequency)11-1911-4-1 哈特萊振盪器(HartleyOscillator)(雙電感回授)11-2011-4-2 考畢子振盪器(ColipttsOscillator)(雙電容回授)11-2311-4-3 石英晶體振盪器(CrystalOscillator)11-2411-5 OPA比較器(Comparator)11-2511-6 OPA樞密特觸發器(Schmitt)11-2911-6-1 反相樞密特觸發器(反相：Ⅱ，Ⅳ象限)11-2911-6-2 附加參考電壓(VREF)之反相樞密特電路11-3411-6-3 同相樞密特電路(Ⅰ、Ⅲ象限)11-3611-7 OPA反相樞密特應用之方波產生器11-3911-7-1 反相樞密特應用：方波產生器11-3911-8 OPA同相樞密特應用之三角波產生器11-46第12章 NE555定時器12-1 NE555的8隻接腳介紹12-112-2 NE555無穩態電路12-312-3 NE555單穩態電路12-1112-4 NE555雙穩態電路12-15第13章 雙BJT的四個多諧電路13-1 無穩態多諧振盪電路13-113-2 雙穩態多諧振盪器13-713-3 單穩態多諧振盪電路13-1013-4 樞密特觸發電路13-13附錄詳解篇
第1章 概 論1-1 電子學發展的歷史1-11-2 積體電路(IntegratedCircuit；簡稱IC)時期1-21-3 基本波形的認識1-31-4 正弦波(sinewave)1-51-4-1 平均值1-71-4-2 正弦波的有效值1-81-5 方波(SquareWave)1-101-6 三角波與鋸齒波1-121-7 波形因素與波峰因素1-13第2章 二極體的物理性質及特性2-1 原子結構與元素週期表2-12-2 本質半導體(IntrinsicSemiconductor)2-42-3 摻雜－外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)2-52-3-1 多數載子與少數載子2-62-3-2 施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)2-62-3-3 受體雜質(Acceptors)與P型半導體...
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