薄膜科技與應用（修訂二版）

第1章　真空技術與氣體傳輸安全1-1　氣　壓1-2　氣體動力學1-3　真空系統1-3.1　氣導(conductance)1-3.2　抽氣速率1-4　真空泵浦1-4.1　迴轉式機械泵浦(rotarymechanicalpump)與乾式泵浦(drypump)1-4.2　擴散泵浦(diffusionpump)1-4.3　渦輪式分子泵浦(turbomolecularpump)1-4.4　低溫泵浦(cryogenicpump)1-5　真空氣壓計(vacuumpressuregauge)1-5.1　Pirani真空計1-5.2　熱電偶真空計(thermocouplegauge)1-5.3　Baratron電容式真空計1-5.4　離子式真空計1-5.5　Penning冷陰極真空計1-5.6　剩餘氣體分析儀(residualgasanalyzer)1-6　漏氣測定1-7　氣體傳輸系統1-7.1　閥門(valve)1-7.2　真空導引(feedthrough)1-7.3　管件的連接1-8　危險氣體的處理1-9　流量的量測與控制習題參考資料第2章　電漿物理2-1　電漿中的氣相碰撞2-2　各種電漿粒子與表面之作用2-2.1　濺　射2-2.2　二次電子2-2.3　在基板表面沉積薄膜或蝕刻2-3　直流輝光放電(D.Cglowdischarge)2-3.1　直流輝光放電特性2-3.2　陰極暗區2-3.3　電漿輝光放電區2-3.4　陽極暗區2-4　射頻輝光放電(radiofrequencyglowdischarge)2-4.1　RF電漿的直流自我偏壓2-4.2　RF系統的電壓分布2-4.3　調頻器(matchingboxortunner)2-5　磁控管(magnetron)輝光放電2-5.1　帶電粒子在磁場方向螺旋前進2-5.2　帶電粒子受電力和磁力作用2-6　高密度電漿(highdensityplasma)習題參考資料第3章　表面動力學與薄膜生長機制3-1　物理吸附(physisorption)3-2　化學吸附(chemisorption)3-3　吸附原子在基板表面產生表面張力3-4　結合能與表面張力3-5　吸附量與溫度、氣壓之關係3-6　摻質原子在晶體中的擴散3-7　表面擴散與薄膜間的互擴散3-8　孕核(nucleation)3-9　原子團的生長與聚合3-10薄膜的結構與缺陷習題參考資料第4章　薄膜製作技術4-1　熱氧化(thermalexidation)4-2　物理汽相沉積(PVD)4-2.1　蒸鍍(evaporation)4-2.2　脈衝雷射沉積(PLD)4-2.3　濺射沈積或乾蝕刻(SputteringDepositionorDryEtching)4-2.4　離子束沉積與蝕刻(IonbeamdepositionorIonmill)4-3　化學汽相沉積(CVD)4-3.1　反應腔中氣體傳送原理4-3.2　CVD動力學4-3.3　CVD反應系統4-4　導電薄膜和介電薄膜製作4-5　磊晶技術(epitaxialtechnology)4-5.1　鹵化物系VPE同質磊晶4-5.2　Ⅲ一Ⅴ族半導體異質磊晶4-6微影製版術(lithographytechnology)4-6.1光阻材料4-6.2紫外線曝光技術4-6.3圖案對準技術4-7蝕刻技術(Etchingtechnology)4-7.1濕式蝕刻4-7.2乾蝕刻習題參考資料第5章　磊晶生長與光學薄膜5-1　同質磊晶生長模式5-2　異質磊晶的能隙與晶格常數5-3　晶格失配的結構5-4　異質磊晶層中的應變能5-5　異質磊晶的差排能5-6　超晶格應變層與插入差排5-7　電磁波在固態界面的傳輸5-8　光在薄膜界面的反射與穿透5-9　多層抗反射薄膜5-10超晶格高反射薄膜習題參考資料第6章　表面、界面與元件電性6-1　表面能態6-2　金屬與半導體界面6-3　歐姆接觸6-4　金屬-氧化層-半導體(MOS)界面6-5　在二維通道的磁阻(Magnetoresistance)6-6　異質結構的應用元件6-6.1　發光二極體(LightEmittingDiodeLED)6-6.2　半導體雷射二極體(LaserDiodeLD)6-6.3　異質雙載子接面電晶體(HeterojunctionBipolorTransistorHBT)6-6.4　高電子遷移率電晶體(pseudomorphicHighElectronMobilityTransistorpHEMT)習題參考資料第7章　散射與薄膜結構或成分分析7-1　X-射線繞射與三維倒晶個格7-2　散射機制與介電理論7-2.1　散射機制7-2.2　介電理論7-3　電漿振盪子(plasmons)與電磁耦合量子(polaritons)7-3.1　離子晶體的聲子7-3.2　電漿振盪子7-4　二維結晶學7-4.1　基板晶格表面7-4.2　表面結構的Wood符號與疊層覆蓋率7-4.3　薄膜與基板的繞射圖案關係7-5　電子繞射(LEED&RHEED)7-6　拉塞福(Rutherford)反向散射光譜儀(RBS)7-7　二次離子質譜儀(SIMS)習題參考資料第8章　薄膜特性檢測技術與原理8-1　光學特性分析技術8-1.1　光學顯微鏡8-1.2　橢圓儀(ellipsometer)8-1.3　紅外光譜儀(FTIR)8-1.4　拉曼(Raman)光譜分析8-1.5　激發光光譜分析8-1.6　感應耦合電漿原子發射光譜(ICPOES)8-2　電子束分析技術8-2.1　掃描式電子顯微鏡(SEM)8-2.2　穿透式電子顯微鏡(TEM)8-2.3　歐傑電子光譜儀(AES)8-3　掃描探針顯微技術(ScanningProbeMicroscopy)8-3.1　掃描式穿隧顯微鏡(STM)8-3.2　原子力顯微鏡(AFM)8-3.3　近場光學顯微鏡8-4　X-射線分析技術8-4.1　X射線特性8-4.2　X光繞射儀8-4.3　光電子光譜儀(photoemissionspectroscopy)8-4.4　X射線螢光分析8-5　薄膜應力量測8-6　金屬薄膜的片電阻8-7　絕緣薄膜的介電強度與崩潰電荷密度習題參考資料附錄附錄A　部分習題解答附錄B　元素週期表附錄C　室溫下一些半導體之物性附錄D　Si、Ge、GaAs和SiO的性質(300°K)附錄E　用於電子材料的某些元素的物理性質附錄F　物理常數及其換算

第1章　真空技術與氣體傳輸安全1-1　氣　壓1-2　氣體動力學1-3　真空系統1-3.1　氣導(conductance)1-3.2　抽氣速率1-4　真空泵浦1-4.1　迴轉式機械泵浦(rotarymechanicalpump)與乾式泵浦(drypump)1-4.2　擴散泵浦(diffusionpump)1-4.3　渦輪式分子泵浦(turbomolecularpump)1-4.4　低溫泵浦(cryogenicpump)1-5　真空氣壓計(vacuumpressuregauge)1-5.1　Pirani真空計1-5.2　熱電偶真空計(thermocouplegauge)1-5.3　Baratron電容式真空計1-5.4　離子式真空計1-5.5　Penning冷陰極真空計1-5.6　剩餘氣體分析儀(residualgasanalyzer)1-6　漏氣測...