半導體製程技術導論（第二版）

第一章導論11.1積體電路發展歷史31.2積體電路發展回顧141.3本章總結22習題22參考文獻22第二章積體電路製程介紹252.1積體電路製程簡介262.2積體電路的良率262.3無塵室技術302.4積體電路製程區間基本結構382.5積體電路測試與封裝482.6積體電路未來發展趨勢552.7本章總結56習題57參考文獻58第三章半導體基礎593.1半導體基本概念603.2半導體基本元件643.3積體電路晶片753.4積體電路基本製程793.5互補式金屬氧化物電晶體863.62000後半導體製程發展趨勢903.7本章總結92習題93參考文獻93第四章晶圓製造954.1簡介964.2為什麼使用矽材料964.3晶體結構與缺陷984.4晶圓生產技術1014.5磊晶矽生長技術1094.6基板工程1174.7本章總結121習題122參考文獻122第五章加熱製程1255.1簡介1265.2加熱製程的硬體設備1265.3氧化製程1305.4擴散製程1505.5退火過程1555.6高溫化學氣相沉積1595.7快速加熱製程(RTP)系統1675.8加熱製程發展趨勢1745.9本章總結176習題177參考文獻178第六章微影製程1796.1簡介1806.2光阻1816.3微影製程1846.4微影技術的發展趨勢2106.5安全性2286.6本章總結229習題231參考文獻232第七章電漿製程2357.1簡介2367.2電漿基本概念2367.3電漿中的碰撞2387.4電漿參數2427.5離子轟擊2477.6直流偏壓2497.7電漿製程優點2517-8電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器2557.10高密度電漿製程2607.11本章總結262習題263參考文獻263第八章離子佈植製程2658.1簡介2668.2離子佈植技術簡介2738.3離子佈植技術硬體設備2818.4離子佈植製程過程2908.5安全性3048.6離子佈植技術發展趨勢3068.7本章總結308習題309參考文獻310第九章蝕刻製程3119.1蝕刻製程簡介3129.2蝕刻製程基礎3149.3濕式蝕刻製程3209.4電漿(乾式)蝕刻製程3259.5電漿蝕刻製程3389.6蝕刻製程發展趨勢3579.7蝕刻製程未來發展趨勢3599.8本章總結361習題362參考文獻362第十章化學氣相沉積與介電質薄膜36510.1簡介36610.2化學氣相沉積36810.3介電質薄膜的應用38510.4介電質薄膜特性39310.5介電質CVD製程40610.6塗佈旋塗矽玻璃42010.7高密度電漿CVD(HDP-CVD)42110.8介電質CVD反應室清潔42410.9製程發展趨勢與故障排除42810.10化學氣相沉積製程發展趨勢43410.11本章總結441習題443參考文獻444第十一章金屬化製程44711.1簡介44811.2導電薄膜45011.3金屬薄膜特性46411.4金屬化學氣相沉積47211.5物理氣相沉積48111.6銅金屬化製程49311.7安全性49911.8本章總結499習題501參考文獻502第十二章化學機械研磨製程50312.1簡介50412.2CMP硬體設備51412.3CMP研磨漿51712.4CMP基本理論52312.5CMP製程過程52912.6CMP製程發展趨勢53812.7本章總結539習題540參考文獻542第十三章半導體製程整合54513.1簡介54613.2晶圓準備54613.3隔離技術54813.4井區形成55413.5電晶體製造55713.6金屬高k閘極MOS56113.7互連技術56513.8鈍化57413.9總結575習題575參考文獻576第十四章IC製程技術57714.1簡介57814.2上世紀80年代CMOS製程流程57814.3上世紀90年代CMOS製程流程58214.42000年代CMOS製程流程59614.52010年代CMOS製程流程61514.6記憶體晶片製造製程62714.7本章總結644習題645參考文獻646第十五章半導體製程發展趨勢和總結649參考文獻656

第一章導論11.1積體電路發展歷史31.2積體電路發展回顧141.3本章總結22習題22參考文獻22第二章積體電路製程介紹252.1積體電路製程簡介262.2積體電路的良率262.3無塵室技術302.4積體電路製程區間基本結構382.5積體電路測試與封裝482.6積體電路未來發展趨勢552.7本章總結56習題57參考文獻58第三章半導體基礎593.1半導體基本概念603.2半導體基本元件643.3積體電路晶片753.4積體電路基本製程793.5互補式金屬氧化物電晶體863.62000後半導體製程發展趨勢903.7本章總結92習題93參考文獻93第四章晶圓製造954.1簡介964.2為什麼使用矽材料964.3晶體結...