目錄
第1章 氮化物發光二極體磊晶製作技術1-1 前言 1-21-2 MOCVD的化學反應 1-41-3 基板 1-61-4 GaN材料 1-81-5 p-GaN材料 1-101-6 氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)材料 1-12第2章 高亮度AlGaInP四元化合物發光二極體磊晶製作技術2-1 前言 2-22-2 化合物半導體材料系統 2-22-3 AlGaInP的磊晶成長 2-62-3-1 前趨物(precursors)的選擇 2-62-3-2 AlGaInP的MOCVD磊晶成長條件 2-72-3-3 AlGaInP-basedLED磊晶成長中的 n-type和p-type摻雜 2-12第3章 發光二極體金屬化製作技術3-1 前言 3-23-2 LED晶粒製程說明 3-43-2-1 常用製程技術簡介 3-53-2-2 晶粒前段製程 3-93-2-3 晶粒後段製程 3-223-2-4 晶粒檢驗方法 3-323-3 高功率LED晶粒之製程趨勢 3-333-3-1 高功率LED晶粒之發展方向 3-333-3-2 高功率LED晶粒的散熱考量 3-36第4章 紫外光及藍光發光二極體激發之螢光粉介紹4-1 前言 4-24-2 螢光材料之組成 4-24-3 影響螢光材料發光效率之因素與定則 4-54-3-1 主體晶格效應(hosteffect) 4-54-3-2 濃度淬滅效應(concentrationquenchingeffect) 4-64-3-3 熱淬息(thermalquenching) 4-64-3-4 斯托克位移(Stokesshift)與卡薩定則 (Kasharule) 4-74-3-5 法蘭克-康頓原理(Franck-Condon principle) 4-84-3-6 能量傳遞(energytransfer) 4-104-4 螢光粉類概述 4-114-4-1 鋁酸鹽系列螢光粉 4-124-4-2 矽酸鹽系列螢光粉 4-164-4-3 磷酸鹽系列螢光粉 4-214-4-4 含硫系列螢光粉 4-294-4-5 其它LED用之螢光粉 4-34第5章 氮及氮氧化物螢光粉製作技術5-1 前言 5-25-2 氮化物的分類和結晶化學 5-45-2-1 氮化物的分類 5-45-2-2 氮化物之結晶化學 5-55-3 氧氮化物/氮化物螢光粉的晶體結構和發光特性 5-65-3-1 氧氮化物藍色螢光粉 5-65-3-2 氧氮化物綠色螢光粉 5-135-3-3 氧氮化物黃色螢光粉 5-195-3-4 氮化物紅色螢光粉 5-215-4 氧氮化物/氮化物螢光粉的合成 5-265-4-1高氮氣壓熱壓燒結法(高溫固相反應法) 5-265-4-2 氣體還原氮化法 5-275-4-3 炭熱還原氮化法 5-295-4-4 其他方法 5-315-5 氧氮化物/氮化物螢光粉在白光LED中的應用 5-315-5-1 藍色LED+-sialon黃色螢光粉 5-325-5-2 藍色LED+綠色螢光粉+紅色螢光粉 5-335-5-3 近紫外LED+藍色螢光粉+綠色螢光粉+ 紅色螢光粉 5-33第6章 發光二極體封裝材料介紹及趨勢探討6-1 前言 6-26-2 LED封裝方式介紹 6-36-2-1 灌注式(casting)封裝 6-36-2-2 低壓移送成型(transfermolding)封裝 6-66-2-3 其他封裝方式 6-116-3 環氧樹脂封裝材料介紹 6-126-3-1 液態封裝材料 6-136-3-2 固體環氧樹脂封裝材料介紹 6-206-4 環氧樹脂封裝材料特性說明 6-206-5 環氧樹脂紫外光劣化問題 6-266-6 Silicone(矽膠)樹脂封裝材料 6-276-7 LED用封裝材料發展趨勢 6-306-8 環氧樹脂封裝材料紫外光劣化改善 6-326-9 封裝材料散熱設計 6-356-10 無鉛焊錫封裝材耐熱性要求 6-376-11 高折射率封裝材料 6-386-12 Silicone樹脂封裝材料發展 6-39第7章 發光二極體封裝基板及散熱技術7-1 前言 7-27-2 LED封裝的熱管理挑戰 7-27-3 常見LED封裝基板材料 7-57-3-1 印刷電路基板(PCB) 7-87-3-2 金屬芯印刷電路基板(MCPCB) 7-97-3-3 陶瓷基板(ceramicsubstrate) 7-137-3-4 直接銅接合基板(directcopperbondedsubstrate) 7-157-4 先進LED複合基板材料 7-167-5 LED散熱技術 7-207-5-1 熱管 7-297-5-2 平板熱管(vaporchamber) 7-337-5-3 迴路式熱管(loopheatpipe) 7-34第8章 白光發光二極體封裝與應用8-1 白光LED的應用前景 8-28-1-1 特殊場所的應用 8-38-1-2 交通工具中應用 8-58-1-3 公共場所照明 8-78-1-4 家庭用燈 8-98-2 白光LED的挑戰 8-108-2-1 白光LED效率的提高 8-108-2-2 高顯色指數的白光LED 8-118-2-3 大功率白光LED的散熱解決 8-128-2-4 光學設計 8-128-2-5 電學設計 8-138-3 白光LED的光學和散熱設計的解決方案 8-138-3-1 光學設計 8-148-3-2 散熱的解決 8-188-3-3 矽膠材料對於光學設計和熱管理重要性 8-218-4 白光LED的封裝流程及封裝形式 8-248-4-1 直插式小功率草帽型白光LED的封裝 流程包括以下的步驟 8-248-4-2 功率型白光LED的封裝流程 8-258-5 白光LED封裝類型 8-278-5-1 引腳式封裝 8-278-5-2 數碼管式的封裝 8-288-5-3 表面貼裝封裝 8-308-5-4 功率型封裝 8-318-6 超大功率大模組的解決方案 8-348-6-1 傳統正裝晶片實現的模組 8-348-6-2 用單電極晶片實現的模組 8-358-6-3 用倒裝焊方法實現的模組 8-358-6-4 封裝良率的提升 8-368-6-5 散熱的優勢 8-378-6-6 封裝流程的簡化 8-378-6-7 長期使用可靠性的提高 8-38第9章 高功率發光二極體封裝技術及應用9-1 高功率LED封裝技術現況及應用 9-29-1-1 單顆LED晶片之封裝模組與產品 9-39-1-2 多顆LED晶粒封裝模組 9-129-2 高功率LED光學封裝技術探析 9-189-2-1 LED之光學設計 9-189-2-2 白光LED之色彩封裝技術 9-209-2-3 LED用透明封裝材料現況 9-219-2-4 LED用透明封裝材料未來趨勢 9-269-3 高功率LED散熱封裝技術探析 9-319-3-1 LED整體散熱能力之評估 9-319-3-2 散熱設計 9-34
第1章 氮化物發光二極體磊晶製作技術1-1 前言 1-21-2 MOCVD的化學反應 1-41-3 基板 1-61-4 GaN材料 1-81-5 p-GaN材料 1-101-6 氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)材料 1-12第2章 高亮度AlGaInP四元化合物發光二極體磊晶製作技術2-1 前言 2-22-2 化合物半導體材料系統 2-22-3 AlGaInP的磊晶成長 2-62-3-1 前趨物(precursors)的選擇 2-62-3-2 AlGaInP的MOCVD磊晶成長條件 2-72-3-3 AlGaInP-basedLED磊晶成長中的 n-type和p-type摻雜 2-12第3章 發光二極體金屬化製作技術3-1 前言 3-23-2 LED晶粒製程說明 3-43-2-1 常用製程技...