電子材料工程(第三版)

第一章 固體的物性
1.1 構造的表現方式
1.2 化學結合與晶體
1.3 最緊密構造與晶體構造
1.4 晶格能量
1.5 代表性無機化合物的晶體構造
1.6 原子集體與電子帶
1.7 晶體的週期能位與能帶構造

第二章 介質體的性質
2.1 巨視性質

第三章 鐵電性材料
3.1 鐵電材料之性質
3.2 壓電陶瓷材料

第四章 壓電陶瓷
4.1 壓電性
4.2 壓電效果與壓電基本方程式
4.3 機電耦合係數
4.4 壓電振盪子的等值電路與各常數

第五章 壓電陶瓷的應用
5.1 瓦斯點火裝置
5.2 超音波振盪子
5.3 超音波洗淨機
5.4 麥克風與喇叭
5.5 壓電電驛(relay)
5.6 加濕器
5.7 超音波加工機

第六章 真空蒸鍍法
6.1 序言
6.2 基本公式

第七章 Sputtering法
7.1 序言
7.2 Sputtering法的基本
7.3 sputtering裝置之基本(二極直流sputtering)
7.4 RF sputtering法
7.5 magnetron sputtering

第八章 薄膜基本特性及其形成原因
8.1 決定薄膜基本性質的微細構造
8.2 微細構造與基本性質之關係
8.3 內部應力
8.4 薄膜的成長過程
8.5 達到基板的各種粒子束
8.6 基板溫度、反跳氬氣之效果與瓦斯壓之影響
8.7 薄膜的組成控制

第九章 積體電路半導體元件的 基本常識
9.1 pn接合
9.2 雙極性電晶體(Bipolar Transistor)
9.3 MOS電晶體之概念
9.4 積體電路使用的被動元件

第十章 積體電路元件之製程技術
10.1 使用Si結晶之原因
10.2 氧化、擴散與離子注入技術
10.3 微細圖案形成的lithography技術
10.4 蝕刻技術
10.5 薄膜堆積技術

第十一章 積體電路之製造工程
11.1 明瞭積體電路之基本構造
11.2 雙極電晶體之積體電路作法
11.3 n通道MOS電晶體構造(以圖11-5為例)之說明

第十二章 MOS電晶體之 threshold電壓
12.1 為負(形成累積層)
12.2 為正(形成空乏層)
12.3 為正且大(形成反轉層)

第十三章 MOS電晶體的構造與特性
13.1 MOS積體電路
13.2 MOS電晶體之構造與特性
13.3 MOS電晶體之設計

第十四章 pn接合與MOS構造之物性與演算例
14.1 基本構造的pn接合與MOS構造
14.2 pn接合及其形成
14.3 pn接合之特性
14.4 pn接合與bipolar電晶體
14.5 MOS構造及其形成
14.6 MOS構造之特性
14.7 MOS電晶體

第十五章 固體的磁性
15.1 磁化與磁矩
15.2 磁性體的分類與磁性的起源
15.3 鐵磁性體的磁現象
15.4 磁光效果

第十六章 磁性材料
16.1 磁性材料
16.2 物質的磁性
16.3 原子的磁矩
16.4 硬質磁性體與軟質磁性體
16.5 原子磁鐵的相互作用
16.6 magnetite的ferrie磁性
16.7 磁壁移動的容易度

第十七章 光電子材料
17.1 光電子序論
17.2 半導體的光電物性
17.3 受光元件與材料
17.5 光記憶及其材料

第十八章 半導體各種效應及其應用
18.1 電磁效應及其應用
18.2 熱電效應及其應用
18.3 熱電阻效果及其應用
18.4 電壓電子效果及其應用
18.5 壓電效果及其應用
18.6 環境效果及其應用

第十九章 奈米技術與電子
19.1 電晶體、雷射與奈米構造
19.2 奈米構造之量子性控制電子與新功能的創新
19.3 LSI及通信用元件之發展與奈米構造
19.4 奈米構造的尖端元件之應用

第二十章 微細化矽晶VLSI與奈米構造電晶體
20.1 MOSFET與scaling law
20.2 矽晶奈米電子的特徵
20.3 半導體技術的roadmap所看到的微細化MOSFET
20.4 短通道效果
20.5 新構造的MOS元件
20.6 MOSFET的量子效果
20.7 利用矽晶點珠的記憶體
20.8 10nm級的電晶體特性