半導體元件物理與製作技術﹝2/E﹞

第一章 簡介
1.1 半導體元件
1.2 半導體製作技術
總結
第一部份 半導體物理
第二章 熱平衡時的能帶其載子濃度
2.1 半導體材料
2.2 基本晶體結構
2.3 基本晶體成長技術
2.4 共價鍵
2.5 能帶
2.6 本質載子濃度
2.7 施體與受體
總結

第三章 載子傳輸現象
3.1 載子漂移
3.2 載子擴散
3.3 產生與復合過程
3.4 連續方程式
3.5 熱離子發射過程
3.6 穿遂過程
3.7 高電場效應
總結
第二部分 半導體元件
第四章 正一負接面
4.1 基本製程步驟
4.2 熱平衡狀態
4.3 空乏區
4.4 空乏層電容
4.5 電流-電壓特性
4.6 儲存電荷和暫態響應
4.7 接面崩潰
4.8 異質接面
總結
第五章 雙載子電晶體及其相關元件
5.1 電晶體之動作
5.2 雙載子電晶體之靜態特性
5.3 雙載子電晶體之頻率響應與切換
5.4 異質接面雙載子電晶體
5.5 閘流體及其相關功率元件
總結
第六章 金氧半場效電晶體及相關元件
6.1 金氧半二極體
6.2 金氧半場效電晶體基本原理
6.3 金氧半場效電晶體微縮
6.4 互補式金氧半與雙載子金氧半
6.5 絕緣層上金氧半場效電晶體
6.6 金氧半記憶體結構
6.7 功率金氧半場效電晶體
總結
第七章 金半場效電晶體及其相關元件
7.1 金屬-半導體接觸
7.2 金半場效電晶體
7.3 調變摻雜場效電晶體
總結
第八章 微波二極體，量子效應和熱電子元件
8.1 基本微波技術
8.2 穿遂二極體
8.3 衝渡二極體
8.4 轉移電子元件
8.5 量子效應元件
8.6 熱電子元件
總結
第九章 光電元件
9.1 輻射轉換與光的吸收
9.2 發光二極體
9.3 半導體雷射
9.4 光檢測器
9.5 太陽電池
總結
第三部分 半導體製作技術
第十章 晶體成長和磊晶
10.1 從熔融液之矽晶成長
10.2 矽的浮帶製程
10.3 砷化鎵的成長技術
10.4 材料特性
10.5 磊晶的成長技術
10.6 磊晶層的結構和缺陷
總結
第十一章 薄膜形成
11.1 熱氧化
11.2 介電層沉積
11.3 複晶矽沉積
11.4 金屬鍍膜
總結
第十二章 微影與蝕刻
12.1 光學微影術
12.2 下世代微影技術
12.3 濕式化學蝕刻
12.4 乾式蝕刻
12.5 微機電系統
總結
第十三章 雜質摻雜
13.1 基本擴散製程
13.2 非本徵擴散
13.3 擴散相關製程
13.4 佈植離子的範圍
13.5 佈植損壞與回火
13.6 佈植相關製程
總結

第十四章 積體元件
14.1 被動元件
14.2 雙載子電晶體技術
14.3 金氧半場效電晶體技術
14.4 金半場效電晶體技術
14.5 微電子元件之挑戰
總結
附 錄
A. 符號表
B. 國際單位系統
C. 單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 300 K 時主要元素和二元化合物半導體的特性
G. 300 K 時矽和砷化鎵的主要特性
H. 半導體態位密度之推導
I. 非直接復合之復合率推導
J. 對稱共振穿遂二極體之穿透係數運算
K. 基本氣體動力學
L. 奇數題的問題解答
索引

第一章 簡介
1.1 半導體元件
1.2 半導體製作技術
總結
第一部份 半導體物理
第二章 熱平衡時的能帶其載子濃度
2.1 半導體材料
2.2 基本晶體結構
2.3 基本晶體成長技術
2.4 共價鍵
2.5 能帶
2.6 本質載子濃度
2.7 施體與受體
總結

第三章 載子傳輸現象
3.1 載子漂移
3.2 載子擴散
3.3 產生與復合過程
3.4 連續方程式
3.5 熱離子發射過程
3.6 穿遂過程
3.7 高電場效應
總結
第二部分 半導體元件
第四章 正一負接面
4.1 基本製程步驟
4.2 熱平衡狀態
4.3 空乏區
4.4 空乏層電容
4.5 電流-電壓特性
4.6 儲存電荷和暫態響應
4.7 接面崩潰
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