CMOS數位積體電路分析與設計（第三版）

1章　簡　介1-11.1歷史觀點1-21.2本書的目標與結構1-61.3電路設計範例1-101.4VLSI設計的方法論總覽1-231.5設計流程1-261.6層級設計1-291.7一致化、模組化與區域化的觀念1-331.8設計型式1-351.9設計品質1-491.10包裝技術1-531.11電腦輔助設計技術1-56習　題1-582章　MOSFET的製造2-12.1序　言2-22.2製造流程的基本步驟2-32.3CMOS的n-井製程2-152.4佈局的設計規定2-222.5全客戶光罩佈局設計2-25習　題2-303章　MOS電晶體3-13.1金屬氧化物半導體(MOS)結構3-23.2外加偏壓下之MOS結構3-73.3MOS電晶體(MOSFET)的結構和操作3-113.4MOSFET之電流－電壓特性3-253.5MOSFET尺寸縮小及微小幾何化之效應3-433.6MOSFET的電容3-62習　題3-764章　MOS電晶體之SPICE模型4-14.1引　言4-24.1基本概念4-34.3LEVEL1模型方程式4-64.4LEVEL2模型方程式4-114.5LEVEL3模型方程式4-164.6先進MOSFET模型4-174.7電容模型4-184.8SPICEMOSFET模型的比較4-23附錄　典型之SPICE模型參數4-25習　題4-295章　MOS(金屬氧化物半導體)反相器：靜態特性5-15.1序　言5-25.2電阻型－負載反相器5-115.3增強型MOSFET負載反相器5-235.4CMOS反相器5-38習　題5-596章　MOS反相器：動態特性6-16.1序　言6-26.2延遲時間之定義6-46.3計算延遲時間6-66.4限定延遲的反相器設計6-176.5內部連線寄生參數評估6-326.6互連線延遲之計算6-456.7CMOS反相器的動態功率散失6-55附錄A　超級緩衝器設計6-65習　題6-677章　組合MOS邏輯電路7-17.1序　言7-27.2空乏型nMOS負載的MOS邏輯閘電路7-37.3CMOS邏輯電路7-187.4複合邏輯電路7-277.5CMOS傳輸閘(TGs)及TG邏輯7-42習　題7-538章　序向MOS邏輯電路8-18.1序　言8-28.2雙穩態元件性能描述8-38.3SR閂鎖電路8-118.4時脈閂鎖及正反器電路8-188.5CMOSD-閂鎖及邊緣觸發正反器8-27附錄　史密特觸發電路(SchmittTriggerCircuit)8-35習　題8-409章　動態邏輯電路9-19.1序　言9-29.2傳送電晶體電路基本原理9-59.3電壓提帶9-199.4同步動態電路技術9-239.5動態CMOS電路技術9-309.6高性能動態CMOS電路9-35習　題9-5610章　半導體記憶體10-110.1序　言10-210.2動態隨機存取記憶體(DRAM)10-810.3靜態隨機存取記憶體10-4310.4非揮發性記憶體10-6010.5快閃記憶體10-7610.6鐵電質隨機存取記憶體(FRAM)10-87習　題10-9011章　低功率CMOS邏輯電路11-111.1前　言11-211.2功率消耗(PowerConsumption)概論11-311.3縮小電壓的低功率設計11-1711.4切換活動力之估算與最佳化11-3011.5降低切換電容11-3811.6絕緣邏輯閘(AdiabaticLogic)11-40習　題11-4912章　BiCMOS邏輯電路12-112.1序　言12-212.2雙極性接面電晶體(BJT)：結構及動作12-512.3BJT之動態行為12-2012.4基本BiCMOS電路：靜態行為12-2812.5BiCMOS邏輯電路之切換時間延遲12-3112.6BiCMOS應用電路12-38習　題12-4213章　晶片輸入和輸出電路(I/O)13-113.1序　言13-213.2ESD保護13-213.3輸入電路13-613.4輸出電路和雜訊13-1213.5晶片上之時脈產生器和分佈電路13-1813.6閂鎖效應及預防13-24習　題13-3314章　可製造性導向的設計14-114.1簡　介14-214.2製程的變化性14-314.3基本的觀念及定義14-514.4實驗設計及性能模式建立14-1414.5參數化良率估計14-2414.6參數化良率之最大化14-3014.7最劣狀況分析14-3414.8性能變異性的最小化14-41習　題14-4615章　可測試性導向的設計15-115.1簡　介15-215.2誤動作的種類與模式15-215.3可控制性與可觀察性15-715.4特定用途的可測試設計技巧15-915.5掃描式測試技術15-1215.6內建自我測試技術15-1515.7電流監視的測試15-19習　題15-20參考文獻參-1

1章　簡　介1-11.1歷史觀點1-21.2本書的目標與結構1-61.3電路設計範例1-101.4VLSI設計的方法論總覽1-231.5設計流程1-261.6層級設計1-291.7一致化、模組化與區域化的觀念1-331.8設計型式1-351.9設計品質1-491.10包裝技術1-531.11電腦輔助設計技術1-56習　題1-582章　MOSFET的製造2-12.1序　言2-22.2製造流程的基本步驟2-32.3CMOS的n-井製程2-152.4佈局的設計規定2-222.5全客戶光罩佈局設計2-25習　題2-303章　MOS電晶體3-13.1金屬氧化物半導體(MOS)結構3-23.2外加偏壓下之MOS結構3-73.3MOS電晶體(MOSFET)的結構和操作3-113.4MOSFET之電流－...