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$ 405 ～ 428 | ULSIDRAM技術
作者：林振華、林振富 出版社：全華圖書股份有限公司 出版日期：2002-11-01 語言：繁體書  共 3 筆 → 查價格、看圖書介紹
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圖書介紹 - 資料來源：TAAZE 讀冊生活 評分：
圖書名稱：ULSIDRAM技術
本書針對引領半導體技術發展的最大趨動力「DRAM技術」作一完整的介紹，而非一般廣泛性介紹半導體製程的書籍，並詳列豐富的參考資料適合大專理工科系有興趣於半導體技術之學生及欲進一步了解DRAM技術之半導體業界人士，當作為參考書籍閱讀。書中詳述了各種相關技術的發展脈絡及相關問題，使在熟悉半導體相關技術外，亦能了解DRAM技術的發展背景及趨勢，實為一了解DRAM技術極佳的入門書籍。
目錄
第1章 ULSIDRAM技術的發展1-1第1節 DRAM簡介1-2第2節 DRAM技術開發的方向和問題1-6第2章 基本和高性能的MOSDRAM設計2-1第1節 DRAM的工作原理2-2第2節 DRAM的基本線路2-33第3節 DRAM的主要電性和附加功能2-62第4節 DRAM的高性能化2-81第3章 MOSDRAM的元件技術(I)3-1第1節 記憶單元的基本動作和結構3-2第2節 MOSDRAM的構成元件和可靠度3-11第4章 MOSDRAM元件技術(II)4-1第1節 MOSDRAM的典型製程4-2第2節 製程技術的發展趨勢4-8第5章 MOSDRAM的可靠度和測試分析技術5-1第1節 可靠度技術5-2第2節 評估分析方法5-37第6章 DRA...
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商品資料
- 作者： 林振華、林振富
- 出版社： 全華圖書股份有限公司 出版日期：2002-11-01 ISBN/ISSN：9572136615
- 語言：繁體中文 裝訂方式：平裝 頁數：400頁
- 類別： 中文書> 科學> 應用科學
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