CHAPTER １ 半導體的歷史回顧
一、半導體簡介與歷史演進
CHAPTER ２ 半導體的材料與結構特性
一、半導體的材料
(1)元素半導體與化合物半導體
(2)奈米半導體
二、半導體的結構
(1)晶體和非晶體──原子之大家族
(2)晶面和晶向──米勒指數
(3)金剛石結構和閃鋅礦結構
(4)Ⅲ-Ⅴ族GaAs之結構分析與界面態模型
CHAPTER ３ 半導體的電子結構與能隙理論
一、能隙的形成
二、金屬、絕緣體、半導體與費米能階（Fermi level）
三、內廩半導體與外廩半導體──不純物加入的影響
(1)電洞（Holes）的概念與有效質量的意義
四、有效質量可由實驗上測得──迴旋加速器共振法
(1)內廩半導體和外廩半導體的差別
CHAPTER ４ 半導體中載流子在電場與磁場中的傳輸行為
一、電阻產生的原因
(1)晶格振動所致之載流子散射
(2)不純物所導致的載流子散射
(3)捕獲與再結合中心
二、電阻的量測
(1)定電流測電壓方法
(2)單臂惠斯通電橋方法
(3)雙臂惠斯通電橋方法
(4)開爾文四線連接測試技術
(5)四點探針量測法
三、載流子在磁場中的作用－霍爾效應（Hall effect）
CHAPTER ５ 半導體的光學性質與光電效應
一、半導體的光電現象
(1)半導體的光吸收
(2)反射率和透射率
二、本質吸收（intrinsic absorption）
(1)直接躍遷
(2)間接躍遷
三、其他吸收
(1)激子吸收
(2)自由載子的吸收
(3)雜質的吸收
(4)晶格振動吸收
四、半導體的光電導
(1)光電導的現象
五、半導體的光生伏特效應
(1)光生伏特效應
(2)光電池與太陽光電池
CHAPTER ６ 半導體的同質結、異質結及MOS結構
一、非平衡載流子
(1)非平衡載流子的復合與生命期τ
(2)非平衡載流子的擴散與漂移
二、同質結──p-n結（p-n Junction）
(1)平衡時的p-n結位能障
(2)p-n結的順向注入
(3)p-n結的逆向抽取
(4)p-n結的整流作用與載流子之注入
(5)p-n結的電容
(6)p-n結的擊穿（break down）及隧道結
三、異質結（hetergeneous junction）
四、MOS結構（Metal-Oxide-Semi-conductor Structure）
(1)理想的MOS結構的電容－電壓特性
CHAPTER ７ 非晶型半導體
一、非晶型物質
二、非晶型物質的基本能隙模型
三、非晶型物質在半導體元件上的應用
(1)摻雜的效應
(2)直流電導
(3)非晶態半導體中的缺陷
CHAPTER ８ 半導體的表面、界面與多層結構
一、半導體表面結構
(1)表面弛豫（surface relaxation）
(2)表面重構（surface reconstruction）
(3)台階表面（stepped surface）
(4)吸附表面
二、金屬與半導體界面
(1)蕭特基位能障的原因
(2)歐姆接觸（Ohmic contact）
三、矽與二氧化矽界面
四、半導體常見的吸附
五、半導體的多層結構──超晶格
(1)超晶格的結構與物理功能
(2)超晶格和量子阱材料的應用
CHAPTER ９ 半導體長晶與薄膜製程
一、晶體成長製程
(1)半導體晶體生長的方法
(2)區域精煉與浮區成長
二、半導體薄膜的製程方法
(1)真空蒸發鍍膜法（也就是物理氣相沈積法）
(2)特殊蒸發法──幾種比較便宜的方法
(3)濺射鍍膜法（sputtering）
(4)化學氣相沈積法（CVD）
CHAPTER 10 半導體元件製程
一、前言
二、氧化物的形成
(1)二氧化矽的結構與性質
(2)氧化的方法
(3)熱氧化速率的因素
(4)在元件上的作用
三、摻雜
(1)熱擴散
(2)熱擴散的方法
(3)離子注入法
四、平面印刷術（lithography）
(1)圖形轉移
(2)圖形刻蝕
共 
