1序 章
2專利成立之要件
2-1 專利特徵2-1
2-2 專利申請之程序2-3
2-3 申請專利須知2-4
2-4 同一性之判斷2-8
2-5 發明之目的2-11
2-6 技術內容(發明之構成要點)2-11
2-7 發明之功效(應注意的要點)2-13
2-8 圖 式2-13
2-9 申請專利範圍2-13
3怎樣寫專利說明書3-1
3-1 專利說明書之揭示3-1
3-2 專利申請書之內容3-2
3-3 用語與均等原則3-6
3-4 獨立項、附屬項(詳述式、附加式)3-7
3-5 主組合、次組合3-8
3-6 功能性語言、結構性語言3-9
3-7 審查實務上的重要表格3-10
4申請專利範圍
4-1 前 言4-1
4-2 我國專利法中有關申請專利範圍的規定4-3
4-3 申請專利範圍撰寫要點4-4
5專利案審查過程
5-1 前 言5-1
5-2 專利案申請審查流程5-3
5-3 中華民國專利申請十年來統計表5-4
5-3-1 申請件數5-4
6鄰近國家的專利審查實務-有關於電腦軟體審查之判定及其他趨勢
6-1 日本電腦程式相關發明之審查實務6-1
6-1-1 前 言6-1
6-2-2 澳洲專利局有關電腦軟體專利之審查實務二部測試法6-4
6-3 中華民國智權局(在1992~1993年)有關於電腦軟體審體之主要判斷實務6-6
6-3-1 前 言6-6
6-3-2 發明可成立之判斷方法6-6
6-3-3 有關電腦應用技術之發明的專利範圍6-10
6-3-4 有關電腦程式(軟體)技術之發明6-11
6-4 值得參考的日本專利審查實務之改進方案6-15
7專利案件寫作範例
7-1 電螢光顯示器7-2
7-1-1 中文摘要7-2
7-1-2 發明或創作背景7-2
7-1-3 發明創作說明7-6
7-1-4 申請專利範圍7-6
7-2 CIS影像感測器7-7
7-2-1 中文摘要7-7
7-2-2 發明或創作背景7-7
7-2-3 發明創作說明7-14
7-2-4 申請專利範圍7-18
7-3 多功能遙控器7-19
7-3-1 中文摘要7-19
7-3-2 發明或創作背景7-19
7-3-3 說明或創作說明7-21
7-3-4 申請專利範圍7-24
7-4 光電晶體矽晶圓表面N+層新結構7-25
7-4-1 中文摘要7-25
7-4-2 發明或創作背景7-26
7-4-3 發明或創作說明7-28
7-4-4 申請專利範圍7-30
7-5 中華民國專利公報7-31
7-5-1 形成金屬內連線之製造方法7-31
7-5-2 申請專利範圍:(範例1)7-32
7-6 中華民國專利公報7-35
7-6-1 靜態隨機存取記憶體之埋入式接觸窗的形成方法7-35
7-6-2 申請專利範圍:(範例2)7-36
7-7 中華民國專利公報7-41
7-7-1 雙鑲嵌結構的製作方法7-42
7-7-2 申請專利範圍:(範例3)7-42
7-8 色彩處理及時脈系統7-47
7-8-1 申請專利範圍(範例4)7-47
7-9 中華民國專利公報7-49
7-9-1 隨機存取記憶體模組之製造方法7-49
7-9-2 申請專利範圍:(範例5)7-49
7-10 練 習7-53
8專利侵害與仿冒的防止
8-1 從均等論8-1
8-2 從迂迴發明論8-2
8-3 美國法院對於專利侵害判斷之基本原則8-3
8-4 專利權如被侵害應向何單位提起申訴8-5
8-5 異議、舉發與訴願8-5
8-5-1 提出「異議案」之例子8-5
8-5-2 提請撤銷異議格式文8-10
8-5-3 提請撤銷舉發之案例8-12
8-5-4 提請行政法院異議案後對判定文之再訴願案8-13
8-5-5 如何召開智財權被舉發案之研討會8-16
8-5-6 參與鑑定「是否異同」之寫作範例8-18
8-6 專利侵害之認定8-22
8-7 專利侵害之迴避8-24
8-8 近期美國專利判例及趨勢之探討8-24
8-9 專利行政與專利審查之未來趨勢8-28
9九十年十月四日立法院三讀通過最新專利法修正條文
壹、最新專利法修正條文目錄9-1
貳、最新專利法修正條文逐條簡要目錄9-2
參、專利法修正條文原文9-9
附
附錄一 IC生產專利實務近況之發展研究附-1
附錄二 常用物理實驗材料一覽表附-4
附錄三 專利語言檢定試題附-9