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奈米微粒暴露改善技術探討ILOSH111-H601

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奈米微粒暴露改善技術探討ILOSH111-H601 奈米微粒暴露改善技術探討ILOSH111-H601

作者:陳春萬蔡春進林冠宇 
出版社:勞動與職業安全衛生研究所
圖書介紹 - 資料來源:TAAZE 讀冊生活   評分:
圖書名稱:奈米微粒暴露改善技術探討ILOSH111-H601

奈米微粒逸散研究發現,當模擬危害源位於氣櫃內部中央,可變風量(VAV)氣櫃面速度下降及拉門開度提高時,奈米微粒逸散情形增加,雖然濃度不高,但部分時間可測得較明顯逸散情形。氣簾式(AC)氣櫃拉門開度由全開至低開時,發現在低開時有最多的微粒逸散。若模擬危害源置於氣罩內部左側,VAV氣櫃的面速度較高時及AC氣櫃的下吸速度較高時逸散情形較為明顯。使用VOC當作危害物時,測試結果也相同。電腦模擬所觀測之流場分布及微粒軌跡發現,氣流進入到氣櫃內部時,氣櫃皆會在拉門後方內部形成迴流區。當拉門開度較高時,危害物釋放後會隨氣流排出,並未觀測到逸散情形,但拉門開度降低時,危害物受到迴流影響移動軌跡較為複雜,在氣櫃內部不規則運動而累積,在VAV氣櫃模擬中也沒有發現逸散情形,只有在AC氣櫃且危害源在氣櫃左側模擬時有發現逸散情形。計畫所評估之VAV及AC氣櫃都可有效控制奈米微粒逸散,可供事業單位控制奈米微粒逸散參考。

作者簡介:

陳春萬:勞動部勞動及職業安全衛生研究所研究員
蔡春進:國立陽明交通大學-環境工程研究所講座教授
林冠宇:東海大學環境科學與工程學系助理教授

目錄
摘 要 ............................................................................ i
Abstract .......................................................................... ii
目次 ........................................................................................ iv
圖目次 ...................................................................................... v
表目次 ..................................................................................... xiii
第一章計畫概述..........................
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