CMOS數位IC

目錄第一章　簡　介11.1　數位電子生態11.2　數位電路特性41.3　數位電路家族51.4　數位IC設計流程81.5　數位IC趨勢101.6　結　論17第二章　CMOS製程技術192.1　基礎CMOS製程192.2　2mn-wellCMOS製程所需的光罩302.3　P-wellvs.N-well322.4　CMOS中之Latchup342.5　CMOS元件之高電場效應392.6　LDD結構452.7　Double-DiffusedDrain(DDD)結構472.8　BuriedChannelPMOS492.9　CMOS元件之演進552.10　SOICMOS元件572.11　BiCMOS技術612.12　深次微米CMOS技術732.13　結　論81第三章　CMOS元件模型873.1　MOSCV873.2　ThresholdVoltage903.3　Drain電流963.4　BodyEffect993.5　小訊號模型1013.6　Short-ChannelEffect(短通道效應)1033.7　Narrow-ChannelEffect(窄通道效應)1053.8　Subthreshold特性1063.9　Mobility1093.10　電容模型1143.11　TransitTime(通過時間)1213.12　ScalingofMOS元件1253.13　深次微米MOS元件模型1273.14　低溫CMOS元件1403.15　SPICE模型1413.15.1　DC模型1423.15.2　Mobility模型1463.15.3　AC模型1473.16　結　論148第四章　SOICMOS元件1534.1　SOICMOS元件之結構1534.1.1　部分解離vs.完全解離1534.1.2　Accumulationvs.Inversion1554.1.3　Double-gate1574.2　SOICMOS元件之特質1584.3　Thresholdvoltage1624.3.1　NMOS元件1624.3.2　PMOS元件1684.4　Short-channelEffect(短通道效應)1734.4.1　水平方向1734.4.2　垂直方向1774.4.3　Thresholdvoltage1784.5　Narrow-channelEffect(窄通道效應)1794.6　SOI散熱效應1864.7　ImpactIonization(撞擊游離)1884.8　結　論193第五章　CMOS邏輯電路1975.1　MOS邏輯電路家族1975.2　MOS邏輯電路性能之評估1995.2.1　DC評估1995.2.2　AC評估2015.2.3　其他評估2035.3　MOS邏輯電路之演進2035.3.1　電阻負載(Resistive-LoadInverter)2045.3.2　線性負載(LinearLoadInverter)2075.3.3　飽合負載(Saturation-LoadInverter)2105.3.4　Depletion負載2145.3.5　Inverter比較2215.4　CMOS邏輯電路2225.4.1　DC分析2235.4.2　AC分析2265.4.3　NOR、NAND2345.4.4　XOR、XAND2365.5　Scaling2365.6　Switch邏輯電路2395.6.1　Clocked靜態電路2395.6.2　Switch邏輯電路2395.7　動態邏輯電路2405.7.1　Domino電路2445.7.2　NORA電路2455.8　基本系統電路2465.8.1　加法器2465.8.2　Carrylook-ahead2475.9　Latch電路2495.9.1　Asynchronouslatch2495.9.2　Synchronouslatch2505.10　輸入ESD保護電路及三態電路2505.10.1　輸入靜電保護電路2515.10.2　三態電路2525.11　設計策略2535.11.1　Semi-custom(半定製)2545.11.2　Full-Custom(全定製)2575.12　結　論259第六章　CMOS記憶體2636.1　簡　介2636.2　記憶体基本結構2686.3　SRAM2726.3.1　Memorycell(記憶元)2726.3.2　Rowdecoder2756.3.3　SenseAmp(感應放大器)2786.3.4　衍生架構2836.3.5　未來趨勢2846.4　DRAM2896.4.1　Memorycell(記憶元)2916.4.2　SenseAmp(感應放大器)2936.4.3　未來趨勢2966.5　非揮發性記憶体2996.5.1　ROM3016.5.2　EPROM3046.5.3　EEPROM3056.6　結　論308索　引311xi

目錄第一章　簡　介11.1　數位電子生態11.2　數位電路特性41.3　數位電路家族51.4　數位IC設計流程81.5　數位IC趨勢101.6　結　論17第二章　CMOS製程技術192.1　基礎CMOS製程192.2　2mn-wellCMOS製程所需的光罩302.3　P-wellvs.N-well322.4　CMOS中之Latchup342.5　CMOS元件之高電場效應392.6　LDD結構452.7　Double-DiffusedDrain(DDD)結構472.8　BuriedChannelPMOS492.9　CMOS元件之演進552.10　SOICMOS元件572.11　BiCMOS技術612.12　深次微米CMOS技術732.13　結　論81第三章　CMOS元件模型873.1　MOSCV873.2　ThresholdVoltage903.3　...