無線通訊射頻晶片模組設計-射頻晶片篇(第二版)

第7章　半導體元件與模型
7.1 半導體物理概述 2
7.2 二極體元件 17
7.3 雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor , BJT) 26
7.4 異質接面雙極性電晶體(Hetrojunction Bipolar Transistor, HBT) 32
7.5 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET) 35
7.6 金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET) 37
7.7 金半場效電晶體(Metal- Semiconductor Field Effect Transistor , MESFET) 42
7.8 高速電子移動電晶體(High Electron Mobility Transistor , HEMT) 43
7.9 半導體參數測試及元件特性分析 47
7.10 微波元件特性及模型 49

第8章　射頻放大器
8.1 混成射頻放大器與單晶射頻放大器 66
8.2 輸出與輸入功率的比值-增益 69
8.3 訊號波流理論(Signal Flow Theory) 73
8.4 穩定度分析 83
8.5 消除不穩定的方法 91
8.6 直流偏壓電路 103
8.7 單向增益匹配 108
8.8 雙向增益匹配 111
8.9 功率匹配 115
8.10 雜訊匹配 119
8.11 設計實例 125

第9章　功率放大器與線性化技術
9.1 功率放大器特性之概述 148
9.2 功率放大器之類別 150
9.3 克里普斯(Cripps)負載線法 166
9.4 負載拉挽方法(Load-Pulling Method) 175
9.5 回饋線性化技術 177
9.6 前饋線性化(Feedforward Linearization)技術 184
9.7 前置失真技術(Pre-Distortion) 186
9.8 封包消弭與回復技術(Envelope Elimination and Restoration) 188
9.9 功率放大器設計實例 189

第10章　振盪器
10.1 簡介 200
10.2 形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法 202
10.3 形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法 206
10.4 形成振盪的必要條件-小訊號S參數分析法 211
10.5 形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法 215
10.6 形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法 219
10.7 穩定振盪功率-大訊號Y參數分析法 226
10.8 穩定振盪功率-大訊號S參數分析法 230
10.9 負載拉挽效應 233
10.10 注入鎖定效應 236
10.11 評估振盪器效能之各項參數 238
10.12 設計實例 241

第11章　混頻器
11.1 混頻器之發展與效能參數 260
11.2 單端二極體混頻器 264
11.3 單平衡二極體混頻器 275
11.4 雙平衡二極體混頻器 294
11.5 單閘極MESFET混頻器 302
11.6 雙閘極MESFET混頻器 306
11.7 平衡型MESFET混頻器 308
11.8 電阻型MESFET混頻器 312
11.9 單端MOSFET混頻器 316
11.10 平衡型MOSFET混頻器 318
11.11 電阻型MOSFET混頻器 330
11.12 平衡型BJT混頻器 332
11.13 次諧波驅動混頻器 333
11.14 鏡像拒斥降頻器 336
11.15 單邊帶升頻器 339

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