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Theoretical Study of Electron Transport Characteristics in GaN
$ 2911
Theoretical Study of Electron Transport Characteristics in GaN
作者:Biswas Arindam 
出版社:LAP Lambert Academic Publishing
出版日期:2013-02-09
語言:英文   規格:平裝 / 100頁 / 22.86 x 15.24 x 0.61 cm / 普通級/ 初版
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Capacitance-Voltage Study on the Effects of Low Energy Electron Radiation on Al0.27Ga0.73N/Gan High Electron Mobility Transistor
$ 3187
Capacitance-Voltage Study on the Effects of Low Energy Electron Radiation on Al0.27Ga0.73N/Gan High Electron Mobility Transistor
作者:Jarzen 
出版社:Biblioscholar
出版日期:2012-12-05
語言:英文   規格:平裝 / 146頁 / 24.61 x 18.9 x 0.79 cm / 普通級/ 初版
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Characterization of Stress in GaN-on-Sapphire Microelectromechanical Systems Structures Using Micro-Raman Spectroscopy
$ 3187
Characterization of Stress in GaN-on-Sapphire Microelectromechanical Systems Structures Using Micro-Raman Spectroscopy
作者:Parada 
出版社:Biblioscholar
出版日期:2012-11-29
語言:英文   規格:平裝 / 100頁 / 24.61 x 18.9 x 0.53 cm / 普通級/ 初版
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Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence
$ 3187
Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence
作者:Gray 
出版社:Biblioscholar
出版日期:2012-11-16
語言:英文   規格:平裝 / 128頁 / 24.61 x 18.9 x 0.69 cm / 普通級/ 初版
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AlGaN/GaN HEMTs Reliability. Degradation Modes and Analysis
$ 1538
AlGaN/GaN HEMTs Reliability. Degradation Modes and Analysis
作者:Ivo 
出版社:Cuvillier
出版日期:2012-10-25
語言:英文   規格:平裝 / 132頁 / 21.01 x 14.81 x 0.71 cm / 普通級/ 初版
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Electron Transport In Bulk n-GaN And In Heterojunction Of AlGaN/GaN
$ 3505
Electron Transport In Bulk n-GaN And In Heterojunction Of AlGaN/GaN
作者:Chakraborty 
出版社:LAP Lambert Academic Publishing
出版日期:2012-07-02
語言:英文   規格:平裝 / 152頁 / 22.91 x 15.19 x 0.89 cm / 普通級/ 初版
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Ion implantation into GaN and AlInN
$ 4039
Ion implantation into GaN and AlInN
作者:Majid 
出版社:LAP Lambert Academic Publishing
出版日期:2012-01-26
語言:英文   規格:平裝 / 168頁 / 22.86 x 15.24 x 0.99 cm / 普通級/ 初版
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GaN and ZnO-Based Materials and Devices
$ 10199
GaN and ZnO-Based Materials and Devices
作者:Pearton,Stephen(EDT) 
出版社:Springer Verlag
出版日期:2012-01-14
語言:英文   規格:15.9 x 23.5 x 3.2 cm / 普通級/ 雙色印刷
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GaN-Based Laser Diodes: Towards Longer Wavelengths and Short Pulses
$ 6599
GaN-Based Laser Diodes: Towards Longer Wavelengths and Short Pulses
作者:Scheibenzuber 
出版社:Springer
出版日期:2012-01-05
語言:英文   規格:精裝 / 98頁 / 23.4 x 15.5 x 1.3 cm / 普通級
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High Performance Gan Light-Emitting Diode
$ 2911
High Performance Gan Light-Emitting Diode
作者:Li 
出版社:LAP Lambert Academic Publishing
出版日期:2011-05-17
語言:英文   規格:平裝 / 80頁 / 22.86 x 15.24 x 0.48 cm / 普通級/ 初版
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Copper Electroplating and Micro-Textured ITO for Vertical GaN LEDs
$ 2911
Copper Electroplating and Micro-Textured ITO for Vertical GaN LEDs
作者:Tsai 
出版社:VDM Verlag
出版日期:2011-05-05
語言:英文   規格:平裝 / 92頁 / 22.86 x 15.24 x 0.56 cm / 普通級/ 初版
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Study of AlN/GaN HEMTs
$ 4039
Study of AlN/GaN HEMTs
作者:Cao 
出版社:VDM Verlag
出版日期:2011-03-13
語言:英文   規格:平裝 / 196頁 / 22.86 x 15.24 x 1.14 cm / 普通級/ 初版
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出版日期:2021-06-30
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出版社:大溏文化事業有限公司
出版日期:2024-10-09
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作者:李.施特博
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出版日期:2024-11-21
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人生成為:突破自我設限的成就力
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出版社:幸福文化
出版日期:2024-09-04
$ 339 
 

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