GAN

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	$ 2911	Theoretical Study of Electron Transport Characteristics in GaN 作者：Biswas Arindam　出版社：LAP Lambert Academic Publishing 出版日期：2013-02-09 語言：英文規格：平裝 / 100頁 / 22.86 x 15.24 x 0.61 cm / 普通級/ 初版博客來 - 物理理論 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 3187	Capacitance-Voltage Study on the Effects of Low Energy Electron Radiation on Al0.27Ga0.73N/Gan High Electron Mobility Transistor 作者：Jarzen　出版社：Biblioscholar 出版日期：2012-12-05 語言：英文規格：平裝 / 146頁 / 24.61 x 18.9 x 0.79 cm / 普通級/ 初版博客來 - 教育學與教育理論 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 877	Characterization of Stress in GaN-on-Sapphire Microelectromechanical Systems Structures Using Micro-Raman Spectroscopy 作者：Parada　出版社：Biblioscholar 出版日期：2012-11-29 語言：英文規格：平裝 / 100頁 / 24.61 x 18.9 x 0.53 cm / 普通級/ 初版博客來 - 測量學 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 987	Investigation of Gate Current In Neutron Irradiated AlxGa1-xN/GaN Heterogeneous Field Effect Transistors Using Voltage and Temperature Dependence 作者：Gray　出版社：Biblioscholar 出版日期：2012-11-16 語言：英文規格：平裝 / 128頁 / 24.61 x 18.9 x 0.69 cm / 普通級/ 初版博客來 - 半導體 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 877	In-Situ Gate Bias Dependent Study of Neutron Irradiation Effects on Algan/Gan Hfets 作者：Mikina　出版社：Biblioscholar 出版日期：2012-11-09 語言：英文規格：平裝 / 90頁 / 23.39 x 15.6 x 0.48 cm / 普通級/ 初版博客來 - 電力資源 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 987	The Effects of Temperature and Electron Radiation on the Electrical Properties of Algan/Gan Heterostructure Field Effect Transistors 作者：Moran　出版社：Biblioscholar 出版日期：2012-11-09 語言：英文規格：平裝 / 122頁 / 23.39 x 15.6 x 0.66 cm / 普通級/ 初版博客來 - 磁學 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 987	An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors 作者：Sattler　出版社：Biblioscholar 出版日期：2012-10-26 語言：英文規格：平裝 / 144頁 / 23.39 x 15.6 x 0.79 cm / 普通級/ 初版博客來 - 半導體 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 1538	AlGaN/GaN HEMTs Reliability. Degradation Modes and Analysis 作者：Ivo　出版社：Cuvillier 出版日期：2012-10-25 語言：英文規格：平裝 / 132頁 / 21.01 x 14.81 x 0.71 cm / 普通級/ 初版博客來 - 電動工程 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 877	Electrical Activation Studies of Silicon Implanted AlxGa1-xN and Coimplanted GaN 作者：Chitwood　出版社：Biblioscholar 出版日期：2012-10-09 語言：英文規格：平裝 / 76頁 / 23.39 x 15.6 x 0.41 cm / 普通級/ 初版博客來 - 半導體 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 3505	Electron Transport In Bulk n-GaN And In Heterojunction Of AlGaN/GaN 作者：Chakraborty　出版社：LAP Lambert Academic Publishing 出版日期：2012-07-02 語言：英文規格：平裝 / 152頁 / 22.91 x 15.19 x 0.89 cm / 普通級/ 初版博客來 - 天文觀星與宇宙 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 4039	Ion implantation into GaN and AlInN 作者：Majid　出版社：LAP Lambert Academic Publishing 出版日期：2012-01-26 語言：英文規格：平裝 / 168頁 / 22.86 x 15.24 x 0.99 cm / 普通級/ 初版博客來 - 物理理論 - 來源網頁看圖書介紹
	$ 10199	GaN and ZnO-Based Materials and Devices 作者：Pearton,Stephen(EDT)　出版社：Springer Verlag 出版日期：2012-01-14 語言：英文規格：15.9 x 23.5 x 3.2 cm / 普通級/ 雙色印刷博客來 - 晶體學 - 來源網頁看圖書介紹